半导体器件的制造方法技术

一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上形成薄膜；通过化学机械研磨工艺去除多余的薄膜材料；采用热辐射源对薄膜表面进行热处理。本发明专利技术中，所述热辐射源对CMP后的薄膜表面进行热处理，可以减少薄膜表面的污染物，减小在所述薄膜上沉积其他材料时所形成的小凸起的几率，进而提高了良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种。
技术介绍
随着半导体技术的发展，集成电路向着高集成度的方向发展。高集成度的要求使半导体器件的线宽越来越小，线宽的减小对集成电路的形成工艺提出了更高的要求。半导体器件通常包括多层金属层以及多层介质层，所述介质层中形成有连通所述金属层的互连线。为了满足元件缩小后的互连线需求，两层及两层以上的多层金属互连线的设计成为超大规模集成电路技术所通常采用的一种方法。半导体制造的过程通常是在工艺线前段 (front end of line,FE0L)形成MOS晶体管,及MOS晶体管与互连层中的最下层之间的介质层，在工艺线后段(back end of line, BEOL)形成所述两层及两层以上的多层金属互连线的设计。例如，在公告号为CN1270371C的中国专利中公开了一种在半导体装置中形成金属互连层的方法。现有技术BEOL的制造过程中，先通过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)去除多余的金属层材料,之后,在金属层上依次形成阻挡层、低K介质层， 其中阻挡层用于防止金属材料的扩散，低K介质层中则会形成金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底上形成薄膜；通过化学机械研磨工艺去除多余的薄膜材料；采用热辐射源对薄膜表面进行热处理。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括 提供衬底，在衬底上形成薄膜； 通过化学机械研磨工艺去除多余的薄膜材料； 采用热辐射源对薄膜表面进行热处理。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用热辐射源对薄膜表面进行热处理的步骤包括通过热辐射使所述薄膜表面的温度在350 400°C的范围内。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述热辐射源为紫外光光源，所述采用热辐射源对薄膜表面进行热处理的步骤包括采用所述紫外光光源对薄膜表面进行照射以进行热处理。4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述紫外光光源的波长在400nm 200nm的范围内。5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述紫外光光源的波长为 365nm。6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述紫外光光源的功率在100 500W的范围内，对薄膜表面进行照射的时间在I 5分钟的范围内。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用热辐射源对薄膜表面进行热处理的步骤包括在O.1 O....

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：