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一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上形成薄膜；通过化学机械研磨工艺去除多余的薄膜材料；采用热辐射源对薄膜表面进行热处理。本发明中，所述热辐射源对CMP后的薄膜表面进行热处理，可以减少薄膜表面的污染物，减小在所述薄膜上沉积其他材...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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