【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种将前道制程(Front-End-Of-Line,FE0L)和后道制程(Back-End-Of-Line，BE0L)分开进行，分别完成后连接在一起的。
技术介绍
半导体器件的制造工艺通常分为前道制程(Front-End-Of-Line，FE0L)和后道制程(Back-End-Of-Line，BE0L)。所述前道制程(也称前段制程)利用光刻、刻蚀、化学机械研磨(CMP)以及离子注入等工艺，在半导体衬底上形成核心电路以及在所述核心电路上形成引出连线层，所述核心电路包括在所述半导体衬底上形成单元结构(Cell)以及所述单元结构之间的隔离结构，所述单元结构例如是MOS结构，所述隔离结构例如是浅沟槽隔离结构(STI)，以MOS结构为例，形成每个MOS结构的源极区、漏极区和栅极区等。所述后道制程(也称后段制程)利用光刻、刻蚀、化学机械研磨以及电镀等工艺，在核心电路及其引出连线层上形成金属连线(Wiring)的工艺过程，根据半导体器件的功能要求，将核心电路的各单元结构通过多层的金属互连线连线引出。在现有技术中，后道制程是在前道制程工艺完成后，在所...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括前道制程、后道制程和固定步骤，所述前道制程和后道制程同时进行，其中，所述前道制程包括：提供一半导体衬底，形成核心电路，所述核心电路上形成有引出连线层；在所述半导体衬底的核心电路旁形成第一穿透硅通孔；在所述第一穿透硅通孔中形成第一通孔金属层；所述后道制程包括：提供一基底，由下至上依次形成顶层互连层至底层互连层，所述底层互连层与所述核心电路的引出连线层位置相适配；在所述基底上形成第二穿透硅通孔，所述第二穿透硅通孔与所述顶层互连层中金属连线连通，且所述第二穿透硅通孔与所述第一穿透硅通孔相适配；在所述第二穿透硅通孔中形成第二通孔金属层；所述固定步骤包括...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括前道制程、后道制程和固定步骤，所述前道制程和后道制程同时进行，其中， 所述前道制程包括 提供一半导体衬底，形成核心电路，所述核心电路上形成有引出连线层； 在所述半导体衬底的核心电路旁形成第一穿透硅通孔； 在所述第一穿透硅通孔中形成第一通孔金属层； 所述后道制程包括 提供一基底，由下至上依次形成顶层互连层至底层互连层，所述底层互连层与所述核心电路的引出连线层位置相适配； 在所述基底上形成第二穿透硅通孔，所述第二穿透硅通孔与所述顶层互连层中金属连线连通，且所述第二穿透硅通孔与所述第一穿透硅通孔相适配； 在所述第二穿透硅通孔中形成第二通孔金属层； 所述固定步骤包括 将所述基底倒置于所述半导体衬底上，使所述第一通孔金属层与所述第二通孔金属层相连接，并使所述底层互连层的金属引线与所述引出连线层的金属连线的相连接。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括 在形成所述第一通孔金属层之后，对所述引出连线层的隔离介质层进行回刻蚀工艺，露出部分所述第一通孔金属层和引出连线层的金属引线； 在形成所述第二通孔金属层之后，对所述底层互连层进行回刻蚀工艺，露出部分所述第二通孔金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：王新鹏，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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