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本发明揭示了一种半导体器件的制造方法，所述后道制程与前道制程同时进行，且所述后道制程是在所述基底上通过“逆向”制作形成，依次从顶层互连层形成至底层互连层，之后将所述基底上形成的后道制程倒置于前道制程结构中的半导体衬底上，使所述第一通孔金属层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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