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一种硅通孔的刻蚀方法，包括，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有保护层，所述保护层内形成有贯穿其厚度的开口；在所述开口侧壁上形成侧墙；以所述保护层和所述侧墙为掩膜，采用第一刻蚀方法刻蚀所述半导体衬底，形成通孔；继续以所述保护层和所述侧墙...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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