光刻方法、刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种光刻方法，其包括，提供形成有待图形化介质层半导体基底；然后形成氟烷基化的低介电常数材料层；再涂覆光阻层；曝光、显影，形成图形化光阻层；本发明专利技术另提供了一种刻蚀方法，其包括：利用前述光刻方法形成的图形化光阻层为掩膜进行刻蚀。本发明专利技术中的低介电常数材料层被氟烷基化的方式为以有机硅氧烷和有机碳氟化合物为反应气体进行化学气相沉积。在低介电常数材料层被氟烷基化的过程中，可通过控制所述有机碳氟化合物的C-F基团的比率来控制所述低介电常数材料层的折射率和疏水性。容易实现调节其对于光的反射作用和增加其与光阻层(PR)的粘附力，从而实现调节其反射率满足曝光要求和避免产生光刻胶在刻蚀过程中倒塌的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种应用在半导体制程的光刻方法及一种刻蚀方法。
技术介绍
光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。通常的光刻是这样进行的:首先在硅片上旋转涂覆光刻胶，即光阻层(PR)，再将其曝露与某种光源下，如紫外光、电子束或者X-射线，对光阻层(PR)进行选择性曝光。再经过显影工艺，仍保留在硅片上光阻层(PR)就形成了图形，保护着其所覆盖的区域。然后对已去除光阻的部分进行一系列增加(如淀积金属膜)或去除(如腐蚀)工艺，以将光阻层(PR)的图形转印到衬底表面。随着集成电路工艺中的关键尺寸的缩小，如何使光刻工艺在越来越小的尺寸下保持精准是业界一直致力的方向。在光刻胶涂层方面，通过增加底部抗反射层(BARC)来减小来自光刻胶下面反射层的光反射，底部抗反射涂层(BARC)是有机或者无机绝缘材料，在涂光阻层(PR)之前被加到硅片上。底部抗反射层(BARC)通过吸收光来减少反射。选择底部抗反射层(BARC)时，除了考虑其对光的反射的减小作用，还要考虑其与光阻层(PR)的粘附力，若光阻层(PR)对其粘附力不够，在后面的工艺处理中，光阻层(PR)容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底形成有待图形化介质层；在待图形化介质层上形成氟烷基化的低介电常数材料层；在所述低介电常数材料层上形成光阻层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈满华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31