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本发明提供一种光刻方法，其包括，提供形成有待图形化介质层半导体基底；然后形成氟烷基化的低介电常数材料层；再涂覆光阻层；曝光、显影，形成图形化光阻层；本发明另提供了一种刻蚀方法，其包括：利用前述光刻方法形成的图形化光阻层为掩膜进行刻蚀。本发明...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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