本发明专利技术公开了一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，包括以下具体步骤：1）将水喷在硅片正面以保护硅片正面PSG层；2）利用HF溶液将硅片背面PSG层去除；3）水槽清洗；4）将硅片表面吹干；5）将硅片传送入浸泡式碱槽中采用弱碱进行硅片背面腐蚀；6）水槽清洗；7）采用HF溶液去除硅片正面PSG层；8）水槽清洗；9）吹干；本发明专利技术对电池的效率和稳定性有较大保障、不易形成“刻蚀印”而影响电池外观，不破坏p-n结、节省酸耗量、背抛效果好、正面无酸腐蚀、有利于弱光效应、漏电比例低、不造成方阻提升。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺
本专利技术涉及晶硅太阳能电池领域，具体讲是一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺。
技术介绍
随着晶硅电池太阳能利润空间的释放，竞争越来越大，如何降低成本及改善良品率已经成为每一个企业的重要课题之一。边刻工艺是晶硅电池最重要的一个关节之一，目前市场上流行各种边刻方法，但都有其不足之处。主流刻蚀工艺: Drena式:采取“水上漂”的方法，由于扩散后的硅片表面PSG层亲水，导致混酸在刻边时酸会爬到硅片表面，容易形成“刻蚀印”，影响电池外观。其工艺流程可见工艺流程图1所示。2) schmid式:采取“水膜”的保护正面，但由于硅片运动，水容易滴落到刻蚀槽中，稀释酸液；此外，由于PSG保护，需要高浓度的酸才能刻通边结。最终的结果就是此种工艺大量浪费酸液；工艺流程见图2所示。3)库特勒式:先通过喷淋的方式去除整个硅片表面的PSG层，再刻边，此种工艺会导致刻边时p-n结暴露在酸雾中，从而破坏p-n，造成方阻提升。工艺流程见图3所示。4)干刻:通过离子轰击，刻蚀边缘p-n结，再用HF去除PSG。此种工艺做成的电池并联电阻一般比湿法刻蚀低I个数量级，不利于弱光效应，且漏电比例偏高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，克服以上现有技术的缺点:提供一种对电池的效率和稳定性有较大保障、不易形成“刻蚀印”而影响电池外观，不破坏P-n结、节省酸耗量、背抛效果好、正面无酸腐蚀、有利于弱光效应、漏电比例低、不造成方阻提升的晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺。本专利技术的技术解决方案如下:一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，包括以下具体步骤: 1)将水喷在硅片正面以保护硅片正面PSG层； 2)利用HF溶液将硅片背面PSG层去除； 3)水槽清洗硅片上的残余酸； 4)将硅片表面吹干； 5)将硅片传送入浸泡式碱槽中采用弱碱进行硅片背面腐蚀； 6)水槽清洗硅片上的残余碱； 7)采用HF溶液去除硅片正面PSG层； 8)水槽清洗硅片上的残余酸； 9)吹干。本专利技术的有益效果是:本专利技术不易形成“刻蚀印”而影响电池外观，不破坏p-n结、节省酸耗量、背抛效果好、正面无酸腐蚀、有利于弱光效应、漏电比例低、不造成方阻提升，去PSG需要的HF浓度要求远低于常规刻蚀工艺，节省酸耗量。刻边采用碱式浸泡刻边，节约了大量酸，且能造成背抛效果提升效率；另外全程工艺没有使用金属离子，对电池的效率和稳定性有了较大保障。正面无酸腐蚀，避免有表面不良的出现。【附图说明】图1为rena式刻蚀工艺流程图。图2为schmid式刻蚀工艺流程图。图3为库特勒式刻蚀工艺流程图。图4为本专利技术的工艺流程图。图5为本专利技术的示意图。【具体实施方式】下面用具体实施例对本专利技术做进一步详细说明，但本专利技术不仅局限于以下具体实施例。实施例一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，包括以下具体步骤: I)利用喷头将水喷在硅片正面以保护硅片正面PSG层；硅片正面由于有PSG层的保护，酸雾无法直接腐蚀P-N结，使得方阻稳定。2)通过毛细滚轮带液的方式利用HF溶液将硅片背面PSG层去除；由于有水膜保护，硅片正面的PSG层不会被去除； 3)在水槽中清洗硅片上的残余HF溶液；防止HF溶液被带到碱槽中，中和碱槽内的碱； 4)通过温为50-70°C的热风刀将硅片表面吹干；防止水带入碱槽内，稀释碱槽浓度； 5)将硅片传送入浸泡式碱槽中采用质量百分比溶度为5-8%，温度为60-70°C的弱碱进行硅片背面腐蚀；所述弱碱为氢氧化铵；由于弱碱对裸硅有强腐蚀作用，对PSG层反应相对较慢，实现刻边和背抛的同时也可有效防止防止硅片正面P-N结被破坏； 6)在水槽中清洗硅片上的残余碱； 7)采用质量百分比溶度为5-8%的HF溶液去除硅片正面PSG层； 8)在水槽中清洗硅片上的残余酸； 9)吹干。以上仅是本专利技术的特征实施范例，对本专利技术保护范围不构成任何限制。凡采用同等交换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本专利技术权利保护范围之内。【主权项】1.一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，其特征在于:包括以下具体步骤: 1)将水喷在硅片正面以保护硅片正面PSG层； 2)利用HF溶液将硅片背面PSG层去除； 3)水槽清洗硅片上的残余酸； 4)将硅片表面吹干； 5)将硅片传送入浸泡式碱槽中采用弱碱进行硅片背面腐蚀； 6)水槽清洗硅片上的残余碱； 7)采用HF溶液去除硅片正面PSG层； 8)水槽清洗硅片上的残余酸； 9)吹干。2.根据权利要求1所述的晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，其特征在于:步骤5)中弱碱的质量百分比溶度为5-8%，温度为60-70 °C。3.根据权利要求1所述的晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，其特征在于:步骤5)中所述弱碱为氢氧化铵。4.根据权利要求1所述的晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，其特征在于:步骤 7)中HF溶液的质量百分比溶度为5-8%。【专利摘要】本专利技术公开了一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，包括以下具体步骤：1）将水喷在硅片正面以保护硅片正面PSG层；2）利用HF溶液将硅片背面PSG层去除；3）水槽清洗；4）将硅片表面吹干；5）将硅片传送入浸泡式碱槽中采用弱碱进行硅片背面腐蚀；6）水槽清洗；7）采用HF溶液去除硅片正面PSG层；8）水槽清洗；9）吹干；本专利技术对电池的效率和稳定性有较大保障、不易形成“刻蚀印”而影响电池外观，不破坏p-n结、节省酸耗量、背抛效果好、正面无酸腐蚀、有利于弱光效应、漏电比例低、不造成方阻提升。【IPC分类】H01L31/18【公开号】CN104900759【申请号】CN201510275663【专利技术人】张文锋, 陈波, 崔红星 【申请人】东方日升新能源股份有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年5月27日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，其特征在于：包括以下具体步骤：1）将水喷在硅片正面以保护硅片正面PSG层；2）利用HF溶液将硅片背面PSG层去除；3）水槽清洗硅片上的残余酸；4）将硅片表面吹干；5）将硅片传送入浸泡式碱槽中采用弱碱进行硅片背面腐蚀；6）水槽清洗硅片上的残余碱；7）采用HF溶液去除硅片正面PSG层；8）水槽清洗硅片上的残余酸；9）吹干。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张文锋，陈波，崔红星，
申请(专利权)人：东方日升新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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