【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体湿法刻蚀领域，特别是一种防止硅刻蚀时过度侧向腐蚀的使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法。
技术介绍
在功率型体式半导体器件生产过程中，为了使PN结终端得到钝化保护，通常需要使用硅湿法刻蚀工艺，在硅表面刻蚀出一定面积和深度的沟槽，使PN结外露，再用薄膜或者玻璃工艺钝化，从而保证产品获得理想的击穿电压和较小的漏流。湿法刻蚀具有各向同性的特点，在纵向刻蚀的同时，横向也同时发生刻蚀，由于负性光刻胶和硅片表面粘附性不稳定，容易发生皱胶，脱胶的问题，导致硅片横向刻蚀过大，超出设计允许的范围，从而导致器件电性失效。行业内一般通过改善光刻胶的粘附性和刻蚀工艺来优化硅片从中间到边缘的侧向腐蚀均匀性和缺陷比率，由于胶的稳定性差异和湿法刻蚀的基本特性决定了传统方法往往不能取得很好的效果。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术公开了一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法。本专利技术的技术方案如下：一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，包括以下步骤：步骤1、在硅衬底上生长第一氧化物层；在氧化物层上生长氮化硅层；在氮化硅之上使用低温二氧化硅工艺生长第二氧化物层；在第二氧化物层之上覆盖光刻胶；步骤2、进行光刻工艺，在光刻胶上形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露；步骤3、以光刻胶层为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层；步骤4、去除光刻胶；以第二氧化物层为抗蚀剂层，刻蚀氮化硅层；步骤5、去除第二氧化物层，以氮化硅层为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层；步骤6、以氮化硅层和第一氧化物层为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀硅衬底；步骤7、去除氮化硅层。其进一步的技术方案为：所述氮化硅层的厚度为其...
【技术保护点】
一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在硅衬底上生长第一氧化物层；在第一氧化物层上生长氮化硅层；在氮化硅之上使用低温二氧化硅工艺生长第二氧化物层；在第二氧化物层之上覆盖光刻胶；步骤2、进行光刻工艺，在光刻胶上形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露；步骤3、以光刻胶层为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层；步骤4、去除光刻胶；以第二氧化物层为抗蚀剂层，刻蚀氮化硅层；步骤5、去除第二氧化物层，以氮化硅层为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层；步骤6、以氮化硅层和第一氧化物层为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀硅衬底；步骤7、去除氮化硅层。
【技术特征摘要】
1.一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在硅衬底上生长第一氧化物层；在第一氧化物层上生长氮化硅层；在氮化硅之上使用低温二氧化硅工艺生长第二氧化物层；在第二氧化物层之上覆盖光刻胶；步骤2、进行光刻工艺，在光刻胶上形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露；步骤3、以光刻胶层为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层；步骤4、去除光刻胶；以第二氧化物层为...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵之俊，刘明，赵峰，谭晶，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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