【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及功率分立式半导体器件的领域，更具体地涉及分立式半导体封装件，诸如，例如但不限于可靠性高的分立式半导体封装件。
技术介绍
1、封装集成电路通常是半导体器件制造工艺的最后阶段。在封装期间，表示半导体器件的核心的半导体管芯被装入保护管芯免受物理损坏和腐蚀的外壳中。例如，半导体管芯通常使用焊料合金回流焊、导电环氧树脂等被安装在铜衬底上。被安装的半导体管芯通常随后被封装在塑料或环氧树脂化合物中。
2、分立式半导体是被指定为执行基本电子功能的器件，并且不能分成本身具有功能的单独部件。功率半导体在功率电子学中被用作开关或整流器。二极管、晶体管、晶闸管和整流器是分立式功率半导体的示例。分立式功率半导体存在于各种不同的环境中，从极低功率系统一直到极高功率系统。然而，常规分立式半导体器件和封装件的性能和可靠性较低，并且散热减少。
技术实现思路
1、提供以下
技术实现思路
以便以简化形式介绍一些概念，这些概念将在下面的详细描述中进一步被描述。该
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键或基本特征，也不旨在帮助确定所要求保护的主题的范围。
2、在一些实施方式中，当前主题涉及分立式半导体封装结构。该结构可以包括：外壳；由外壳封装的芯片组件焊盘，其中芯片组件焊盘可以被配置用于耦接到半导体芯片；至少部分地由外壳封装的一个或多个引线；包括一个或多个端子和芯片链接器的夹片(clip)，其中端子可以被配置用于耦接到一个或多个引线；以及散热块，其中芯片链接器可以被耦接在半导体芯片和
3、在一些实施方式中，当前主题可以包括以下可选特征中的一个或多个。该结构可以包括散热器，其被耦接到芯片组件焊盘的第一表面。半导体芯片可以被耦接到芯片组件焊盘的第二表面，其中第二表面可以与第一表面相对。在将半导体芯片耦接到芯片组件焊盘时，散热器不接触半导体芯片。散热器可以包括被定位在散热器和芯片组件焊盘之间的法兰。散热器的至少一部分可以被耦接到外壳。
4、在一些实施方式中，一个或多个引线可以包括被耦接到夹片的一个或多个端子中的第一端子的第一引线、被耦接到夹片的一个或多个端子中的第二端子的第二引线、以及被耦接到芯片组件焊盘的第三引线。第一引线和第二引线可以被配置为延伸到外壳之外，并且第三引线可以被外壳封装。
5、在一些实施方式中，散热块可以由导电材料制成。导电材料可以包括以下中的至少之一：铜、铜合金、金属、金属合金及其任意组合。散热块可以具有预定的厚度。散热块可以被配置为至少在向半导体芯片施加负载突降脉冲期间和之后从半导体芯片去除热量。半导体芯片可以包括工作区域。夹片可以被配置为被耦接到半导体芯片的工作区域。散热块可以被配置为被定位在半导体芯片的工作区域上方。
6、在一些实施方式中，一个或多个夹片端子可以被配置为包括一个或多个支撑突起部分，该一个或多个支撑突起部分远离一个或多个夹片端子的一个或多个边缘横向延伸。夹片可以被配置为具有弯曲结构，其中夹片的弯曲结构的至少一部分可以被配置为远离半导体芯片延伸。
7、在一些实施方式中，芯片组件焊盘可以包括用于在操作期间从半导体芯片去除水分的水分凹槽。
8、在一些实施方式中，外壳可以由以下中的至少之一制成：环氧化合物、塑料及其任意组合。
9、在一些实施方式中，该结构可以包括瞬态电压抑制器件。
10、在一些实施方式中，当前主题涉及制造上述结构的方法。该方法可以包括：提供半导体芯片；形成具有用于定位半导体芯片的法兰的散热器，该法兰被形成在散热器的上表面；使用芯片组件焊盘将半导体芯片耦接到散热器和法兰，其中芯片被配置为被定位在芯片组件焊盘的上表面，芯片组件焊盘被配置为被定位在法兰的上表面；形成具有一个或多个夹片端子和芯片链接器的夹片，并使用芯片链接器将夹片耦接到半导体芯片；形成一个或多个引线并将该一个或多个引线耦接到一个或多个夹片端子；将散热块定位并耦接到芯片链接器的上表面，该散热块被配置为在操作期间从半导体芯片中去除热量；以及形成外壳以封装半导体芯片、芯片组件焊盘、夹片、散热器和/或法兰的至少一部分、以及引线的至少一部分，其中一个或多个引线的至少一部分可以被配置为延伸到外壳之外。
11、本文所述主题的一个或多个变体的细节在以下附图和描述中阐述。本文所述主题的其他特征和优点将从描述和附图以及权利要求书中显而易见。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，还包括被耦接到所述芯片组件焊盘的第一表面的散热器，其中，所述半导体芯片被耦接到所述芯片组件焊盘的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，在所述半导体芯片耦接到所述芯片组件焊盘时，所述散热器不接触所述半导体芯片。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述散热器包括被定位在所述散热器和所述芯片组件焊盘之间的法兰。
5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述散热器的至少一部分被耦接到所述外壳。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个引线包括：
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一引线和所述第二引线被配置为延伸到所述外壳的外部，并且所述第三引线被所述外壳封装。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述散热块由导电材料制成。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述导电材料包括以下中的至少一个：铜、铜合金、金属、金属合金及其任意组合。
10.根据权利要求8所述的装置，其中，所
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述散热块被配置为至少在向所述半导体芯片施加负载突降脉冲期间和之后从所述半导体芯片去除热量。
12.根据权利要求10所述的装置，其中，所述半导体芯片包括工作区域。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述夹片被配置为被耦接到所述半导体芯片的工作区域。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述散热块被配置为被定位在所述半导体芯片的工作区域上。
15.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个夹片端子被配置为包括一个或多个支撑突起部分，所述支撑突起部分远离所述一个或多个夹片端子的一个或多个边缘横向延伸。
16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述夹片被配置为具有弯曲结构，其中，所述夹片的弯曲结构的至少一部分被配置为远离所述半导体芯片延伸。
17.根据权利要求1所述的装置，其中，所述芯片组件焊盘包括用于在操作期间从所述半导体芯片中去除水分的水分凹槽。
18.根据权利要求1所述的装置，其中，所述外壳由以下中的至少一个制成：环氧化合物、塑料及其任意组合。
19.根据权利要求1所述的装置，还包括瞬态电压抑制器件。
20.一种方法，包括：
21.一种分立式半导体封装结构，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，还包括被耦接到所述芯片组件焊盘的第一表面的散热器，其中，所述半导体芯片被耦接到所述芯片组件焊盘的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，在所述半导体芯片耦接到所述芯片组件焊盘时，所述散热器不接触所述半导体芯片。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述散热器包括被定位在所述散热器和所述芯片组件焊盘之间的法兰。
5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述散热器的至少一部分被耦接到所述外壳。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个引线包括：
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一引线和所述第二引线被配置为延伸到所述外壳的外部，并且所述第三引线被所述外壳封装。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述散热块由导电材料制成。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述导电材料包括以下中的至少一个：铜、铜合金、金属、金属合金及其任意组合。
10.根据权利要求8所述的装置，其中，所述散热块具有预定厚度。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述散热块被配置为至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，高超，何磊，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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