System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有降低的热应力和机械应力的半导体器件封装制造技术_技高网

具有降低的热应力和机械应力的半导体器件封装制造技术

技术编号:41271819 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-11 09:25
公开了具有降低的热应力和机械应力的半导体器件封装,具体公开了一种半导体器件,包括壳体、设置在壳体内并具有第一金属电极和第二金属电极的半导体芯片、具有延伸出壳体的第一端部和终止于晶粒焊盘的第二端部的第一引线框架,晶粒焊盘的顶表面包括腔,腔中设置有第一量的焊料以用于将晶粒焊盘电连接到第一金属电极,具有延伸出壳体的第一端部并具有邻近半导体芯片设置的第二端部的第二引线框架,以及具有连接到引线框架的第二端部的第一端部和在半导体芯片上延伸的第二端部的夹片,夹片的第二端部的底表面包括凹部,凹部中设置有第二量的焊料以用于将夹片电连接到第二金属电极。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及半导体器件领域,更具体地涉及瞬态电压抑制(tvs)器件的封装结构。


技术介绍

1、封装集成电路通常是半导体器件制造的最后阶段。在封装期间,代表半导体器件核心的半导体芯片连接到晶粒(die)焊盘(pad)和夹片(clip),芯片焊盘和夹片被配置为在半导体芯片与半导体器件所连接的电路之间提供电连接。然后将半导体芯片、夹片和晶粒焊盘封装在介电壳体(例如塑料或环氧化合物)中,该壳体保护封装组件免受物理损坏和腐蚀。

2、通常,半导体器件的晶粒焊盘和夹片与半导体芯片的相对侧电连接,并使用焊料与之平坦邻接。随着半导体器件的功率需求的增加和封装尺寸的减小,已经发现,可以在半导体芯片、晶粒焊盘和夹片的平坦邻接表面之间提供的焊料的量/厚度有时不足以保护半导体芯片免受晶粒焊盘和夹片施加的过大的热应力和机械应力。这种应力可由从晶粒焊盘和夹片传递到半导体芯片的过多热量以及半导体芯片和晶粒焊盘和/或夹片的热膨胀系数不匹配引起。因此,半导体芯片在半导体器件的可靠性测试期间甚至在半导体器件的正常使用期间容易开裂。

3、考虑到这些和其他因素,目前的改进可能是有用的。


技术实现思路

1、提供本概述是为了以简化形式介绍一些概念,这些概念将在下文的详细说明中进一步描述。本概述不旨在识别所要求保护的主题的关键特征或基本特征,也不旨在帮助确定所要求保护的主题的范围。

2、根据本公开的半导体器件的示例性实施例可以包括介电壳体、设置在壳体内的半导体芯片、具有设置在其相对表面上的第一金属电极和第二金属电极的半导体芯片、第一引线框架(lead frame),该第一引线框架具有延伸出壳体的第一端部和终止于安装有半导体芯片的晶粒焊盘的第二端部,其中,晶粒焊盘的顶表面包括腔,腔中设置有第一量的焊料,第一量的焊料将晶粒焊盘电连接到半导体芯片的第一金属电极,第二引线框架,其具有延伸出壳体的第一端部并具有邻近半导体芯片设置的第二端部,以及夹片,其具有连接到引线框架的第二端部的第一端部和在半导体芯片上延伸的第二端部,其中,夹片的第二端部的底表面包括其中形成有第二量的焊料的凹部,第二量的焊料将夹片电连接到半导体芯片的第二金属电极。

3、根据本公开的半导体器件封装的示例性实施例可以包括介电壳体、第一引线框架,该第一引线框架具有延伸出壳体的第一端部和终止于适于支撑半导体芯片的晶粒焊盘的第二端部,其中,晶粒焊盘的顶表面包括腔,腔中设置有第一量的焊料,第二引线框架,其具有延伸出壳体的第一端部并具有设置在壳体内的第二端部,以及夹片,其具有连接到引线框架的第二端部的第一端部和适于电连接到半导体芯片的第二端部,其中,夹片的第二端部的底表面包括凹部,凹部中形成有第二量的焊料。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述腔由从所述晶粒焊盘的所述顶表面延伸的唇缘限定。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述唇缘是矩形的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述腔的深度在0.005毫米至0.05毫米的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述凹部的深度在0.005毫米至0.05毫米的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述半导体芯片是瞬态电压抑制器件。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述夹片为L形。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述夹片的所述第一端部包括第一叉齿部和第二叉齿部,所述第一叉齿部和所述第二叉齿部适配到形成在所述第二引线框架的第二端部的相对边缘中的互补的第一槽口和第二槽口中。

9.一种半导体器件封装,包括:

10.根据权利要求9所述的半导体器件封装,其中,所述腔由从所述晶粒焊盘的所述顶表面延伸的唇缘限定。

11.根据权利要求10所述的半导体器件封装,其中,所述唇缘是矩形的。

12.根据权利要求9所述的半导体器件封装,其中,所述腔的深度在0.005毫米至0.05毫米的范围内。

13.根据权利要求9所述的半导体器件封装,其中,所述凹部的深度在0.005毫米至0.05毫米的范围内。

14.根据权利要求9所述的半导体器件封装,其中,所述半导体芯片是瞬态电压抑制器件。

15.根据权利要求9所述的半导体器件封装,其中,所述夹片为L形。

16.根据权利要求9所述的半导体器件封装,其中,所述夹片的所述第一端部包括第一叉齿部和第二叉齿部,所述第一叉齿部和所述第二叉齿部适配到形成在所述第二引线框架的第二端部的相对边缘中的互补的第一槽口和第二槽口中。

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述腔由从所述晶粒焊盘的所述顶表面延伸的唇缘限定。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述唇缘是矩形的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述腔的深度在0.005毫米至0.05毫米的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述凹部的深度在0.005毫米至0.05毫米的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述半导体芯片是瞬态电压抑制器件。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述夹片为l形。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述夹片的所述第一端部包括第一叉齿部和第二叉齿部,所述第一叉齿部和所述第二叉齿部适配到形成在所述第二引线框架的第二端部的相对边缘中的互补的第一槽口和第二槽口中。

9.一种半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员:张锋高超何磊
申请(专利权)人:力特半导体无锡有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1