【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业的快速成长，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。
2、集成电路发展过程中，通常功能密度(即每一芯片的内连线结构的数量)逐渐增加的同时，几何尺寸(即利用工艺步骤可以产生的最小元件尺寸)逐渐减小，这相应增加了集成电路制造的难度和复杂度。
3、电容作为集成电路工艺中常见的电子元器件之一，广泛地被应用于防止模拟电路发射噪音、调制频率等各种电子线路中。目前，在工艺节点不断缩小的情况下，现有技术形成的电容器件的工艺成本高、性能仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，从而提高半导体结构的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底包括电容...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子区域和第二子区域的基底的材料特性不同；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：掺杂离子，仅位于所述第一子区域的基底中，或者，仅位于所述第二子区域的基底中，或者，分别位于所述第一子区域和第二子区域的基底，且在所述第一子区域和第二子区域的基底中均具有掺杂离子的情况下，所述第一子区域和第二子区域的掺杂离子满足如下条件中的一种或多种：掺杂浓度不同、掺杂深度不同或掺杂离子不同。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子区域和第二子区域的基底的材料特性不同；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：掺杂离子，仅位于所述第一子区域的基底中，或者，仅位于所述第二子区域的基底中，或者，分别位于所述第一子区域和第二子区域的基底，且在所述第一子区域和第二子区域的基底中均具有掺杂离子的情况下，所述第一子区域和第二子区域的掺杂离子满足如下条件中的一种或多种：掺杂浓度不同、掺杂深度不同或掺杂离子不同。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂离子包括p型离子和n型离子中的一种或两种。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的顶部拐角和底部拐角均为圆角。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极层填充于所述第三凹槽中。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子区域和第二子区域呈矩阵状排布，或者，所述第一子区域和第二子区域均为长条形，且沿任一方向平行交替排布。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的开口尺寸为至所述第一凹槽的深度为至所述第一凹槽底部的介电层的厚度为至
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极层的厚度为至位于所述第三凹槽外侧的第二电极层的厚度为至
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容介质层的厚度为至
11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，第一电极层的材料包括多晶硅或金属，所述第二电极层的材料包括多晶硅或金属。
12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一子区域和第二子区域的基底的材料特性不同；
14.如权利要求13所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王凤娇，朱宏亮，张党柱，郑昊琦，周欣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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