下载半导体结构及其形成方法的技术资料

文档序号:41271806

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:基底,基底包括电容区,电容区包括交替排布的第一子区域和第二子区域;介电层,生长于电容区的基底上,位于第一子区域和第二子区域的介电层的生长厚度不同,且厚度不同的介电层围成第一凹槽;第一电极层,保形覆...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。