单片多通道保护设备制造技术

一种多通道保护设备及其相关方法。该设备包括具有第一芯片附接部分和第二芯片附接部分的第一引线，具有第三芯片附接部分的第二引线，以及具有第四芯片附接部分的第三引线。第一半导体芯片被配置为被导电地耦合到第一芯片附接部分和第三芯片附接部分。第二半导体芯片被配置为被导电地耦合到第二芯片附接部分和第四芯片附接部分。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及半导体器件领域，并且特别地，涉及单片多通道(例如，双通道)保护设备。

技术介绍

1、瞬态电压抑制(tvs)二极管是设计用于保护敏感电子器件免受高压瞬态影响的电子组件。tvs二极管可以比大多数其他类型的电路保护器件更快地响应过电压事件，并且可用各种表面贴装和通孔电路板安装形式。tvs二极管通常被用于防止电气过应力(electrical overstress)，诸如由雷击(lightning strike)、感应负载切换和与数据线和电子电路上的传输相关联的静电放电(electrostatic discharge，esd)引起的过应力。现有的半导体技术无法以有效的方式为电子电路组件提供多通道保护设备。

技术实现思路

1、下面的
技术实现思路
被提供来以简化形式引入概念的选择，这些概念在下面的具体实施方式中被进一步描述。本
技术实现思路
不旨在确定所要求保护的主题的关键或本质特征，也不旨在作为辅助确定所要求保护的主题的范围。

2、在一些实施方式中，当前的主题涉及多通道保护设备/装置。该设备可以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，还包括定位在所述第三芯片附接部分和所述第一半导体芯片上方的第一基板层。

3.根据权利要求2所述的装置，还包括夹在所述第一芯片附接部分和所述第二芯片附接部分之间的第二基板层。

4.根据权利要求3所述的装置，还包括定位在所述第四芯片附接部分和所述第二半导体芯片上方的第三基板层。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二引线与所述第三引线导电地分离。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括导电地耦合所述第一引线、所述第一芯片附接部分、所述第一半导体芯片、所述第三芯片附接部分和所述第...

【技术特征摘要】

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，还包括定位在所述第三芯片附接部分和所述第一半导体芯片上方的第一基板层。

3.根据权利要求2所述的装置，还包括夹在所述第一芯片附接部分和所述第二芯片附接部分之间的第二基板层。

4.根据权利要求3所述的装置，还包括定位在所述第四芯片附接部分和所述第二半导体芯片上方的第三基板层。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二引线与所述第三引线导电地分离。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括导电地耦合所述第一引线、所述第一芯片附接部分、所述第一半导体芯片、所述第三芯片附接部分和所述第二引线的第一导电通道。

7.根据权利要求6所述的装置，还包括导电地耦合所述第一引线、所述第二芯片附接部分、所述第二半导体芯片、所述第四芯片附接部分和所述第三引线的第二导电通道。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一引线、所述第一芯片附接部分、所述第二芯片附接部分、所述第二引线、所述第三芯片附接部分、所述第三引线和所述第四芯片附接部分中的至少一个包括以下中的至少一个：锌、铜、银、铝、金属、其合金和/或其任何组合。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张环，石磊，高超，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：