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本发明公开了一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，包括以下具体步骤：1）将水喷在硅片正面以保护硅片正面PSG层；2）利用HF溶液将硅片背面PSG层去除；3）水槽清洗；4）将硅片表面吹干；5）将硅片传送入浸泡式碱槽中采用弱碱进行硅片背面腐蚀；6）水...
该专利属于东方日升新能源股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方日升新能源股份有限公司授权不得商用。

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