【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种提高刻蚀选择比的方法，尤其涉及
技术介绍
在半导体制造技术中，随着半导体器件的特征尺寸不断缩小，对生产器件的工艺要求越来越高，进而对各工艺参数的均匀性和稳定性提出了更高的要求。氧化层是半导体生产工艺中经常采用的一种介电材料，氮化硅层沉积于氧化层之上多被作为保护层，或者是作为刻蚀中止层。在半导体生产过程中，通常采用磷酸对氮化硅层进行去除，但同时该化学液会接触到氧化层，从而在使用磷酸去除氮化硅层的同时，亦有部分氧化层被刻蚀，从而影响后续的工艺如离子注入的深度，进而造成器件的良率降低。磷酸刻蚀氮化硅层的反应机理为:Si3N4+6H20=3Si02+4NH3(H3PO4作为催化剂)，在反应中，磷酸是作为催化剂使用的，从反应平衡来看，随着氮化硅刻蚀量的增加，形成的二氧化硅会逐渐增加，由于二氧化硅会与磷酸反应，故该副产物二氧化硅会降低半导体衬底表面氧化层的刻蚀速率，从而增加了氮化硅和氧化层的刻蚀选择比，进而使得刻蚀趋于稳定。因此，现有的半导体工艺生产过程中，通常会提前跑氮化硅挡片(du_y)，以达到足够大而稳定的氮化硅和氧化层的刻蚀选择比的目的。由于磷酸会...
【技术保护点】
一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法，应用于具有氮化硅层和氧化层的半导体结构的刻蚀工艺，所述氮化硅层覆盖于所述氧化层的上表面，其特征在于，包括：采用包含有添加剂的磷酸化学液对所述氮化硅层进行刻蚀工艺；其中，所述添加剂的材质为氮化硅和/或类氮化硅和/或间接转化为氮化硅的物质和/或氧化硅和/或类氧化硅和/或间接可以转化为氧化硅的物质。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李芳，刘文燕，黄耀东，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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