【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于氧氮化硅
具体涉及一种合成氧氮化硅原料及其制备方法。
技术介绍
氧氮化硅（Si2N2O）是SiO2-Si3N4系统中唯一的化合物，但Si2N2O一直被认为是在Si3N4合成过程中形成的一种稳定的副产物而没有深入研究。氧氮化硅（Si2N2O）具有优异的抗氧化性、抗热震性、耐腐蚀性、抗蠕变性以及高温强度高、高致密度、低膨胀率等优良性能，是一种优异的高温结构材料和耐火材料。研究表明：氮氧化硅具有氧化硅与氮化硅的过渡结构，其高强度是由化学键的多元性和结构的多样性而引起的自身强化和韧化机制所决定的。氧氮化硅最开始被人们发现是在合成氮化硅的反应过程中引入空气后，产物中出现了氧氮化硅，但是这一现象并未引起人们的注意。直到20世纪60年代，Anderson等在陨石中发现了氧氮化硅晶体，说明氧氮化硅是一种可以稳定存在的化合物。此后，有人相继研究了氧氮化硅的晶体结构、热力学性能以及X射线衍射图谱。这些基础研究为氧氮化硅粉末的合成及氧氮化硅陶瓷的制备奠定了基础。目前国内外对氧氮化硅的研究还十分有限，主要原因是氧氮化硅一直被当作是合...
【技术保护点】
一种合成氧氮化硅原料的制备方法，其特征在于所述制备方法的具体步骤是： 第一步、先将50~60wt%的单质硅与40~50wt%的二氧化硅混合，然后在球磨机中球磨至粒度为4.5~6.5μm，得到球磨粉料； 第二步、将球磨粉料放入气氛炉中，在高纯氮气气氛中，先以10~12℃/min的升温速率升至1000℃~1100℃，再以6~8℃/min的升温速率升至1400℃~1500℃，保温4~9h，即得合成氧氮化硅原料。
【技术特征摘要】
1.一种合成氧氮化硅原料的制备方法，其特征在于所述制备方法的具体步骤是：
第一步、先将50~60wt%的单质硅与40~50wt%的二氧化硅混合，然后在球磨机中球磨至粒度为4.5~6.5μm，得到球磨粉料；
第二步、将球磨粉料放入气氛炉中，在高纯氮气气氛中，先以10~12℃/min的升温速率升至1000℃~1100℃，再以6~8℃/min的升温速率升至1400℃~1500℃，保温4~9h，即得合成氧氮化硅原料。
2.根据权利要求1所述的合成氧氮化硅原料的制备方法，其特征在于所述单质...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂建华，张国锬，文晋，梁永和，邱文冬，张寒，尹玉成，蔡曼菲，
申请(专利权)人：武汉科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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