一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括衬底、形成于衬底上的氧化层、形成于所述氧化层上的氮化硅层、形成于所述氮化硅层上的抗反射层、贯穿所述抗反射层并延伸入所述衬底中的沟槽、以及填充于所述沟槽内并覆盖于所述抗反射层上的第一二氧化硅层；研磨所述第一二氧化硅层直至所述抗反射层；干法刻蚀去除所述抗反射层；在去除所述抗反射层的半导体晶圆表面形成第二二氧化硅层；研磨所述第二二氧化硅层直至所述氮化硅层；去除所述氮化硅层。本发明专利技术工艺简单，采用氮氧化硅作为抗反射层，CD管控相对简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺。
技术介绍
在半导体浅沟道隔离(Shallow Trench Isolat1n,简称STI)工艺生产过程中，浅沟道隔离(STI)化学机械平坦化(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)存在两种主流方式:反向化学机械平坦化(Reverse CMP)以及直接化学机械平坦化(Direct CMP),一般情况下浅沟绝缘层(STI layer)用氮氧化娃(S1N)作为抗反射层的工艺不会采用DirectCMP方式，这主要是因为氮化硅(SiN)表面剩余氮氧化硅在STI CMP后并不能被磷酸(H3PO4)去除，进而导致氮化硅无法被湿法剥掉。目前为了线宽(CD)精确管控，大部分采用氮氧化硅作为抗反射层。请参阅图1(a) —(d)，其为业内目前常用的直接浅沟道隔离平坦化(Direct CMP STI)的工艺流程示意图。如图1所述，步骤(a):首先在硅衬底SllO上形成氧化层S120 (Pad-Ox)、在氧化层S120的表面形成氮化娃层S130、在氮化娃层S130的表面形成一层氮氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺,其特征在于：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括衬底、形成于衬底上的氧化层、形成于所述氧化层上的氮化硅层、形成于所述氮化硅层上的抗反射层、贯穿所述抗反射层并延伸入所述衬底中的沟槽、以及填充于所述沟槽内并覆盖于所述抗反射层上的第一二氧化硅层；研磨所述第一二氧化硅层直至所述抗反射层；干法刻蚀去除所述抗反射层；在去除所述抗反射层的半导体晶圆表面形成第二二氧化硅层；研磨所述第二二氧化硅层直至所述氮化硅层；去除所述氮化硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：华强，周耀辉，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32