氮氧化硅膜及其形成方法以及半导体器件技术

本发明专利技术提供一种不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明专利技术的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。该膜可使用例如四氟化硅气体、氮气及氧气来作为原料气体28，利用通过感应耦合而生成等离子40的感应耦合型等离子化学气相沉积法，而形成在基板20上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种例如可用在薄膜晶体管、金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor, MOS)晶体管等半导体器件等上的氮氧化娃膜及其形成方法。进ー步来说，涉及ー种具有该氮氧化硅膜的半导体器件及氧化物半导体薄膜晶体管。
技术介绍
在非专利文献I中，记载有:S卩，在以In-Ga-Zn-O(简称IGZ0)氧化物半导体形成通道层的氧化物半导体薄膜晶体管(Oxide-semiconductor Thin Film Transistor,简称0TFT)中，利用使用SiH4/N20混合气体的等离子化学气相沉积(Chemical VaporDeposition, CVD)法，使氧化硅膜(SiOx膜)堆积作为保护膜(钝化层)(例如，參照第228页左栏、表I)。在该非专利文献I中，记载有将用作保护膜的氧化硅膜中的氢设想为:作为氧化物半导体薄膜晶体管的可靠性指标之ー的、阈值Vth发生移位的原因的事实(例如，參照第229页左栏)。另ー方面，在专利文献I中，记载有:使用SiF4,体来取代作为以往的气体源的SiH4气体,使用O2气体作为氧化气体,使用N2气体作为载气(carryg本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮氧化硅膜，包括硅、氮、氧及氟而成，所述氮氧化硅膜的特征在于: 氮N、氧O及氟F的合计(N+0+F)相对于硅Si的元素比率(奸0+ )/31是:处于1.93 1.48的范围内， 且该膜中的硅的元素比率处于0.34 0.41、氮的元素比率处于0.10 0.22、氧的元素比率处于0.14 0.38及氟的元素比率处于0.17 0.24的范围内。2.一种半导体器件，其特征在于包括: 根据权利要求1所述的氮氧化硅膜。3.一种薄膜晶体管，为使用氧化物半导体的薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：安东靖典，高桥英治，藤原将喜，
申请(专利权)人：日新电机株式会社，
类型：
国别省市：