等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够适当地控制荷电粒子的动作的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括处理室(2)。在处理室(2)的内部包括：载台(3)，供作为被处理物的被处理基板(H1)设置；天线(4)，用于在处理室(2)的内部产生感应耦合性的等离子体；以及内部电极(8)，施加规定的电位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

1、已知有一种等离子体处理装置，使用配置于真空容器内的天线(antenna)而在所述真空容器内产生感应耦合性的等离子体。等离子体处理装置根据其类别而对被处理基板等被处理物实施使用所产生的等离子体的规定的等离子体处理、例如利用化学气相沉积法或溅镀法(sputter)的成膜、或蚀刻(etching)等处理。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本公开专利公报“日本专利特开平8-8232号公报”

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、对于等离子体处理装置，重要的是在真空容器(处理室)内适当地控制等离子体处理时所产生的等离子体中所含的荷电粒子的动作。这是因为，在等离子体处理装置中，与对被处理物的所述荷电粒子的动作相应地，会对等离子体处理的品质造成影响。

3、然而，在所述现有的等离子体处理装置中，对于适当地控制荷电粒子的动作，未作公开。

4、本公开是鉴于所述问题点而完成，目的在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体处理装置，包括处理室，且所述等离子体处理装置中，

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述天线配置于所述内部电极与所述载台之间。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中所述天线为线状天线。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，还包括载台电位控制部，所述载台电位控制部控制所述载台的电位。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中设置有多个所述内部电极，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其中所述内部电极包含具有多个开口的碳板或金属板。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种等离子体处理装置，包括处理室，且所述等离子体处理装置中，

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述天线配置于所述内部电极与所述载台之间。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中所述天线为线状天线。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，还包括载台电位控制部，所述载台电位控制部控制所述载台...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井敏彦，东大介，
申请(专利权)人：日新电机株式会社，
类型：发明
国别省市：