半导体基板及绝缘栅极型场效电子晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种半导体基板，其具有基底基板、第一结晶层、及绝缘层，基底基板、第一结晶层、及绝缘层的位置顺序为基底基板、第一结晶层、绝缘层；第一结晶层是由可准晶格匹配于GaAs或AlGaAs的InxGa1-xAs(0.35≤x≤0.43)构成。第一结晶层是可适用于场效电子晶体管的沟道层，绝缘层是可适用于场效电子晶体管的栅极绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体基板及绝缘栅极型场效电子晶体管。
技术介绍
作为进一步提升高电子迁移率晶体管(HEMT:High Electron MobilityTransistor)的电子迁移率及电子浓度的构造有准晶式(pseudomorphic)高电子迁移率电晶体(P-HEMT)。另外,萧特基栅极构造(Schottky gate)或pn结(p_n junction)栅极构造的P-HEMT可产生高迁移率特性，很多被利用于高频通信元件。专利文献I及专利文献2掲示了 P-HEMT用外延生长基板。该文献所掲示的外延生长基板中采用InGaAs层作为应变沟道层，采用AlGaAs层作为前侧及背侧电子供给层。专利文献I中记载将应变沟道层的In组分设为0.25以上。此外也记载:通过最佳化应变沟道层的In组分及膜厚，而使应变沟道层在300K中的电子迁移率为8300cm2/V s以上(明示最大值为8990cm2/V -s)。专利文献2中记载:通过最佳化应变沟道层的In组分及膜厚，而使应变沟道层在77K中的发光波峰波长在1030nm以上(明示最大值为1075nm)。另外，电子迁移率由霍尔測定(Van Dor本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.31 JP 2010-1951751.一种半导体基板，其具有基底基板、第一结晶层、及绝缘层，前述基底基板、前述第一结晶层、及前述绝缘层的位置顺序为前述基底基板、前述第一结晶层、前述绝缘层；前述第一结晶层由可准晶格匹配于GaAs或AlGaAs的InxGai_xAs (0.35 ^ x ^ 0.43)构成。2.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，前述第一结晶层为可适用于场效电子晶体管的沟道层的层，前述绝缘层为可适用于前述场效电子晶体管的栅极绝缘层的层。3.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，前述基底基板是含有GaAs或AlGaAs至少一方的基板。4.根据权利要求1所述的半导体基板，还具有位于前述基底基板与前述第一结晶层间的缓冲层。5.根据权利要求4所述的半导体基板，其中，前述缓冲层是含有GaAs或AlGaAs至少一种的层。6.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，前述第一结晶层于77K中的光致发光的波峰波长大于1070nm。7.根据权利要求1所述的半导体基板，还具有位于前述第一结晶层与前述绝缘层之间的第二结晶层，前述第二结晶层是由禁带宽度比前述第一结晶层大的3-5族化...

【专利技术属性】
技术研发人员：福原升，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：
国别省市：