【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及一种使用氮化物半导体的半导体装置，特别涉及一种具有接触电阻小的欧姆电极的半导体装置。
技术介绍
以氮化镓(GaN)为代表的氮化物半导体具有基于带隙大这一点的高破坏电压、高电子饱和速度以及高电子迁移率等优点和异质结中电子浓度高等优点。因此，以在电源用高压电子元件和毫米波段用高速元件等中进行利用为目的的开发研究在不断地进行。特别是，层叠了带隙不同的氮化物半导体层的异质结结构或将该异质结结构多个层叠的量子阱结构或超晶格结构能够控制元件内的电子浓度的调制程度，因此，被作为使用了氮化物半导体的元件的基本结构来利用。作为使用了具有异质结结构的氮化物半导体的半导体装置，例如有异质结场效应晶体管(Hetero junction Field Effect Transistor:HFET)(例如，参照专利文献 I)。HFET具有:例如由在基板上形成的GaN形成的动作层、由未掺杂的氮化铝镓(AlGaN)形成的阻挡层、在阻挡层上形成的源电极、漏电极以及栅电极。AlGaN与GaN相比带隙大。因此，在动作层和阻挡层的异质结界面上，高浓度地积蓄由于AlGaN和GaN的自发极化量差以...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.29 JP 2010-2437691.一种半导体装置，具有: 第一氮化物半导体层； 在上述第一氮化物半导体层上形成、且带隙比上述第一氮化物半导体层大的第二氮化物半导体层； 以贯穿上述第二氮化物半导体层且将上述第一氮化物半导体层的一部分除去的方式形成的凹部；以及 以埋入上述凹部内的方式形成的欧姆电极， 在上述第一氮化物半导体层中的与上述第二氮化物半导体层的界面的正下方形成有二维电子气体层， 上述欧姆电极和上述第二氮化物半导体层至少在作为上述凹部的侧面的一部分的第一接触面上接触， 上述欧姆电极和上述第一氮化物半导体层中的上述二维电子气体层的部分，至少在作为上述凹部的侧面的一部分、且连接于上述第一接触面之下的第二接触面上接触， 上述第一接触面是上述凹部的宽度从上述第二氮化物半导体层的下表面侧向上表面层变宽的形状， 在上述第一接触面与上述第二接触面的连接之处，上述第二接触面以上述第一氮化物半导体层的上表面为基准的倾斜比上述第一接触面更陡峭。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中， 上述第一接触面具有与上述第一氮化物半导体层的上表面形成规定角度的平面，上述第二接触面具有与上述第一氮化物半导体层的上表面形成比上述规定角度更陡峭的角度的平面。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中， 上述第一接触面具有向上述第二氮化物半导体层一侧凸起...
【专利技术属性】
技术研发人员：木下雄介，田村聪之，按田义治，上田哲三，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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