【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
以往，对于在基板上方通过晶体生长形成有AlGaN层和GaN层且GaN层作为电子迁移层发挥功能的高电子迁移率晶体管(HEMT high electron mobility transistor)。 GaN的带隙为3. 4eV，大于Si的带隙(1.1eV)和GaAs的带隙(1. 4eV)。因此，GaN系HEMT的耐压高，有望作为用于汽车等的高耐压功率器件。另一方面，Si系场效应晶体管中必然存在体二极管。体二极管以成为反向并列的方式与晶体管连接，在可用于大功率电源的全桥电路方式中作为续流二极管发挥功能。然而，在GaN系HEMT中，这样的体二极管必然不存在。因此，提出了沿基板的厚度方向层叠有 P型层和η型层的ρη结二极管与GaN系HEMT连接而成的结构。然而，对于迄今为止提出的结构而言，二极管的工作容易发生延迟。而且，伴随着延迟，在二极管作为续流二极管进行工作之前，HEMT中流动反向电流，使消耗电量增大。另外，由于延迟，在HEMT的源极和漏极间施加过电压时，二极管不作为保护电路工作。另外，对高耐压功率器件的结构而言，存在源极和漏极被平行地配置...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种化合物半导体装置，其特征在于，具有 第I电极， 第I化合物半导体层，形成于所述第I电极的上方， 第2化合物半导体层，形成于所述第I化合物半导体层上， 第3化合物半导体层，形成于所述第2化合物半导体层上， 第2电极，形成于所述第3化合物半导体层的上方， 第4化合物半导体层，形成于在所述第I化合物半导体层、所述第2化合物半导体层以及所述第3化合物半导体层的层叠体形成的开口部内，与所述第I化合物半导体层、所述第2化合物半导体层以及所述第3化合物半导体层的侧面相接， 栅电极，控制所述第2化合物半导体层与所述第4化合物半导体层的界面的电位，以及第3电极，与所述第I化合物半导体层绝缘，与所述第I电极和所述第2化合物半导体层相接； 其中，所述第2化合物半导体层的晶格常数小于所述第I化合物半导体层和所述第3化合物半导体层的晶格常数， 所述第4化合物半导体层的晶格常数小于所述第I化合物半导体层和所述第3化合物半导体层的晶格常数， 所述第2化合物半导体层的传导带的能量高于所述第3化合物半导体层的传导带的能量。2.如权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，所述第3电极如下形成与因所述第I化合物半导体层与所述第4化合物半导体层之间的晶格常数之差而生成的二维电子气以及因所述第3化合物半导体层与所述第4化合物半导体层之间的晶格常数之差而生成的二维电子气相分隔。3.如权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，所述第2化合物半导体层的晶格常数为所述第4化合物半导体层的晶格常数以下。4.如权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，具有栅绝缘膜，所述栅绝缘膜将所述栅电极和所述第4化合物半导体层进行绝缘。5.如权利要求4所述的化合物半导体装置，其特征在于，具有绝缘膜，所述绝缘膜比所述栅绝缘膜厚，将所述栅电极和所述第I电极进行绝缘。6.如权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，所述第I电极和所述第3电极一体地形成。7.如权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，所述第I化合物半导体层、所述第2化合物半导体层以及所述第3化合物半导体层含有Ga和N， 所述第I化合物半导体层、所述第2化合物半导体层以及所述第3化合物半导体层的各表面朝向a轴方向。8.如权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，所述第I化合物半导体层、所述第2化合物半导体层以及所述第3化合物半导体层含有Ga和N， 所述侧面的面取向为(0001)。9.如权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，所述第3化合物半导体层的电阻在所述第2电极侧变得低于所述第2化合物半导体层侧。10.如权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，所述第2化合物半导体层和所述第4化合物半导体层是GaN层或AlGaN层， 所述第2化合物半导体层和所述第4化合物半导体层是与所述第2化合物半导体层和所述第4化合物半导体层相比以高比例含有...
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