化合物半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

在基板（1）上层叠形成有第一GaN层（2）、第一AlGaN层（3）、第二GaN层（4）、及第三GaN层（5），在形成于该层叠体的开口（10A）的侧面形成有第二AlGaN层（6）。以填埋绝缘膜（7）的电极沟（7a）的方式形成有栅极（8），在栅极（8）和第二AlGaN层（6）之间存在的绝缘膜（7）的部分（7c）作为栅绝缘膜起作用。在栅极（8）的上方形成有源极（11），在其下方形成有漏极（12）。利用该构成，实现如下可靠性高的纵型结构的HEMT：在不发生因使用p型化合物半导体所引起的各种问题的情况下，在可获得充分的高耐压、高输出的同时，可进行常关动作，可进行微细化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备化合物半导体层的。
技术介绍
化合物半导体的电场效应晶体管(Field Effect Transistor :FET)、例如使用GaN的GaN-FET与通常的Si-MOSFET相比耐压高，被视为有望制成汽车用等的高耐压电力设备。在GaN-FET中，与通常的Si-MOSFET同样，存在所谓横型结构和纵型结构的GaN-FET0横型结构的FET以漏极、栅极及源极排列在半导体基板上或半导体层上的方式构成。纵型结构的FET以依次层叠有漏极、栅极及源极的方式构成。纵型结构的FET与横型结构的FET相比，具有如下所述的优点。 由于电流通路成为垂直方向，因此单位半导体芯片的电流量増加。此外，由于将因大电流流动而要求大面积的源极及漏极配置于栅极的上下，因此芯片面积变小。进而，由于単位半导体芯片的金属比例变大，因此散热特性也提高。以往，研究出纵型结构的GaN-FET。在该GaN-FET中，化合物半导体层被制成层叠有n型GaN (n_GaN)、p型GaN (p_GaN)、及n_GaN的所谓npn结构。而且，以填埋形成于化合物半导体层的沟槽的方式设有栅极(參照专利文献I、非专利文献1、2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：今田忠纮，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
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