用于半导体器件的含金属覆盖层的表面清洁和选择性沉积制造技术

本发明专利技术提供了一种用于将含金属覆盖层集成到半导体器件的铜(Cu)金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包括：提供包含金属表面和介电层表面且其上具有残余物的平坦化的图案化衬底；从所述平坦化的图案化衬底上除去残余物；通过将所述介电层表面和所述金属表面暴露于包含含金属前驱体蒸气的沉积气体而将含金属覆盖层选择性沉积在所述金属表面上。所述除去包括：用含有疏水性官能团的反应剂气体处理含有残余物的所述平坦化的图案化衬底，并将所述经处理的平坦化的图案化衬底暴露于还原气体中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体处理和半导体器件，并更具体而言涉及用于将含金属覆盖层集成到半导体器件的铜(Cu)金属化中以改善块体Cu金属中的电迁移(EM)和应力迁移(SM)的方法。
技术介绍
集成电路包含各种半导体器件和多个导体金属通路，所述多个导体金属通路为半导体器件提供电功率，并使得这些半导体器件能够共享和交换信息。在集成电路内，使用将金属层彼此绝缘的金属间介电层或层间介电层，使金属层一层一层堆叠起来。通常，每个金属层必须形成与至少一个其他金属层接触的电接触。通过在将金属层分隔的层间电介质中蚀刻出孔(即，过孔)、并用金属填充所产生的过孔以产生互连，来实现上述电接触。“过孔”通常指形成于介电层内的任何凹入特征(例如，孔、刻线或其他类似特征)，所述凹入特征在用金属填充时提供了穿过介电层到介电层下方的导电层的电连接。类似的，连接两个或多个过孔的凹入特征通常称作沟槽。在用于制造集成电路的多层金属化方案中使用Cu金属产生了多个需要解决的问题。例如，Cu原子在电介质材料和硅(Si)中的高迁移率会造成Cu原子迁移进入这些材料中，从而形成会毁坏集成电路的电缺陷。因此，Cu金属层、Cu填充沟槽和Cu填充本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：远江一仁，弗兰克·M·克里欧，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：