表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法技术

表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域。采用ITO扩展电流扩展层代替n型AlGaInP电流扩展层，既可改善LED芯片的电流扩展均匀性，又消除了n型AlGaInP电流扩展层吸光的问题，提高出光效率。因此，可以延长反极性AlGaInP基LED的寿命、提高其光电转换效率。本发明专利技术具有工艺简单、方便生产操作的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面覆盖ITO电流扩展层的反极性AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体

技术介绍
与GaAs衬底晶格匹配的AlGaInP基材料是一种直接带隙半导体，通过调整Al和Ga的比例，禁带宽度可在1.9eV至2.3eV之间变化。AlGaInP基LED的波长范围可以覆盖550nm～650nm，在RGB三基色显示屏、交通信号灯、汽车车灯等领域有着广泛的应用前景。常规AlGaInP基LED为p面出光，其外延层结构通常为：在GaAs衬底上依次生GaAs缓冲层、DBR反射镜层、n型限制层、MQW多量子阱有源层、p型限制层、p型GaP窗口层。由于GaAs衬底吸光，需要利用DBR反射镜层将射向衬底的光反射回去减少衬底吸光问题。反极性AlGaInP基LED为n面出光，其外延层结构通常为：在GaAs衬底上依次生GaAs缓冲层、腐蚀截止层、n型粗化层、n型电流扩展层、n型限制层、MQW多量子阱有源层、p型限制层、p型GaP窗口层。通过将外延层键合到永久衬底上，再去除吸光的GaAs临时衬底、GaAs缓冲层和腐蚀截止层，实现n面出光。在键合本文档来自技高网...

【技术保护点】
表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于：在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、ITO扩展电流扩展层和主电极；所述ODR反射镜由相互连接的金属反射层和介质膜层构成，介质膜层与外延层相连接；金属反射层和金属键合层相连接；ITO电流扩展层与外延层之间设置有欧姆接触点；ITO电流扩展层表面呈粗化状。

【技术特征摘要】
1.表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于：在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、ITO扩展电流扩展层和主电极；所述ODR反射镜由相互连接的金属反射层和介质膜层构成，介质膜层与外延层相连接；金属反射层和金属键合层相连接；ITO电流扩展层与外延层之间设置有欧姆接触点；ITO电流扩展层表面呈粗化状。
2.根据权利要求1所述表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于ITO电流扩展层表面粗化状图形特征尺寸为5nm～200nm。
3.根据权利要求1所述表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于所述外延层包括：p-GaP窗口层、p-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、n-AlGaInP限制层、n-GaAs欧姆接触层。
4.根据权利要求1所述表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于所述介质膜层为SiO2、Si3N4、MgF2、ITO中的至少任意一种。
5.根据权利要求1所述表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于所述金属反射层为Ag、Al、Au、AuZn合金、AuBe合金中的至少任意一种。
6.如权利要求1所述表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED的制造方法，包括以下步骤：
1）在临时衬底上依次外延生长缓冲层、腐蚀截止层、n-GaAs欧姆接触层、n-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p-AlGaInP限制层、p-GaP窗口层，形成外延片；
2）在外延片的p-G...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洲，杨凯，赵宇，林鸿亮，徐培强，何胜，李波，张永，张双翔，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32