半导体发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种LED及其制造方法，所述LED包括：半导体堆叠件，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层形成以暴露出布置在有源层下方的第一导电半导体层的一些部分的沟槽；第一指形电极，其沿着各沟槽布置，并且电连接至第一导电半导体层在沟槽中暴露出的所述一些部分；绝缘层，第一指形电极位于绝缘层上，并且绝缘层布置在第二导电半导体层和各沟槽的内侧壁上；以及第二指形电极，其电连接至第二导电半导体层。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年9月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0124912的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
与示例性实施例一致的设备和方法涉及半导体发光装置(LED)。
技术介绍
LED通过电子和空穴的复合产生特定波长带中的光。由于与基于灯丝的光源相比，LED具有更长的有效寿命、低功耗、优秀的初始驱动特性等，因此对LED的需求持续增加。具体地说，能够发射短波长蓝光的III族氮化物半导体引起了关注。近来，积极地研究提高LED的发光效率。具体地说，研发了各种电极结构来提高LED的发光效率和光功率。
技术实现思路
示例性实施例解决了至少以上问题和/或缺点以及上面未描述的其它缺点。另外，不要求示例性实施例克服上述缺点，并且其可不克服上述任何缺点。一个或多个示例性实施例可提供一种具有新颖的电极结构的LED及其制造方法，其可防止发光效率降低和提高光功率。根据示例性实施例的一方面，提供了一种LED，其包括：半导体堆叠件，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过第二导电半导体层和有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：半导体堆叠件，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过所述第二导电半导体层和所述有源层形成以暴露出布置在所述有源层下方的第一导电半导体层的一些部分的沟槽；第一指形电极，其沿着各沟槽布置，并且电连接至所述第一导电半导体层在各沟槽中暴露出的所述一些部分；绝缘层，所述第一指形电极位于所述绝缘层上，并且所述绝缘层布置在所述第二导电半导体层和各沟槽的内侧壁上；以及第二指形电极，其电连接至所述第二导电半导体层。

【技术特征摘要】
2015.09.03 KR 10-2015-01249121.一种发光装置，包括：半导体堆叠件，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过所述第二导电半导体层和所述有源层形成以暴露出布置在所述有源层下方的第一导电半导体层的一些部分的沟槽；第一指形电极，其沿着各沟槽布置，并且电连接至所述第一导电半导体层在各沟槽中暴露出的所述一些部分；绝缘层，所述第一指形电极位于所述绝缘层上，并且所述绝缘层布置在所述第二导电半导体层和各沟槽的内侧壁上；以及第二指形电极，其电连接至所述第二导电半导体层。2.根据权利要求1所述的发光装置，还包括布置在所述第二导电半导体层上的电流分布层，其中，所述第二指形电极布置在所述电流分布层上。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述电流分布层布置在除第二导电半导体的上表面中布置有第一指形电极的那一部分之外的第二导电半导体层的上表面上。4.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述电流分布层包括透明电极层。5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，所述电流分布层包括从以下材料中选出的至少一个：氧化铟锡(ITO)、掺锌ITO(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、In4Sn3O12和氧化锌镁(Zn(1-x)MgxO，0≤x≤1)。6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一指形电极和所述绝缘层的布置在所述第一指形电极下方的各部分形成全向反射器。7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，绝缘层的至少一部分包括分布式布拉格反射器多层膜。8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，各沟槽布置为彼此间隔开，并且至少两个相邻的沟槽之间的距离与另两个相邻的沟槽之间的距离不同。9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，至少一个沟槽中的第一指形电极与第一导电半导体层之间的接触面积与所述沟槽当中的另一沟槽中的第一指形电极与第一导电半导体层之间的接触面积不同。10.根据权利要求1所述的发光装置，还包括分别连接至所述第一指形电极和所述第二指形电极的第一电极焊盘和第二电极焊盘。11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述第一电极焊盘布置在绝缘层的位于所述第二导电半导体层上的部分上，并且所述第二电极焊盘布置在所述第二导电半导体层上。12.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述沟槽包括布置为以第一距离靠近所述第一电极焊盘的第一沟槽和在远离所述第一电极焊盘的方向上在所述第一沟槽之后一个接一个地布置的其它沟槽，所述其它沟槽与第一沟槽之间以及彼此之间以第二距离间隔开，并且各第二距离中的至少一个大于所述第一沟槽与所述第一电极焊盘之间的所述第一距离。13.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述沟槽中的所述第一指形电极与所述第一导电半导体层之间的接触面积随着所述沟槽与所述第一电极焊盘相距的距离增大而减小。14.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述沟槽包括布置为以第一距离靠近所述第一电极焊盘的第一沟槽和在远离所述第一电极焊盘的方向上在所述第一沟槽之后一个接一个地布置的其它沟槽，所述其它沟槽与所述第一沟槽之间以及彼此之间以第二距离间隔开，并且各第二距离中的至少一个小于所述第一沟槽与所述第一电极焊盘之间的所述第一距离。15.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述沟槽中的所述第一指形电极与所述第一导电半导体层之间的接触面积随着所述沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：金基石，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR