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表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域。采用ITO扩展电流扩展层代替n型AlGaInP电流扩展层，既可改善LED芯片的电流扩展均匀性，又消除了n型AlGaInP电流扩展层吸光的问题，提高出光效率。因此，...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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