【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种具有表面温度被控制为各自不同的温度的区域的区域温度控制结构体。
技术介绍
在对作为基板的半导体晶圆(以下,简称为“晶圆”。)实施等离子体处理的基板处理装置中,作为载置晶圆的载置台(基座),公知有将载置面分割成多个环状温度区域来控制并利用各环状温度区域支承晶圆的基座。如利用各环状温度区域支承晶圆的基座那样,在表面被多个温度区域控制的区域温度控制结构体或者具有被调整为不同的温度的多个组合温度区域构件的组合结构体中,存在以下的问题在分别调节各区域的温度时,热在相邻的不同的环状温度区域的交界面或者连结面中发生移动,热效率降低。并且,存在不能确保区域彼此之间的温度差这样的另 一问题。因此,为了防止调节该区域温度控制结构体或者组合结构体的温度时的热效率的降低,并且确保区域彼此之间的温度差,开发出有在相邻的区域彼此之间配置绝热件或者利用热导率不同的原材料构成相邻的区域的技术(例如,參照专利文献I)。先行技术文献专利文献专利文献I :日本特开2004 — 292297号公报但是,在区域温度控制结构体中在被控制为不同的温度的区域彼此之间配置有绝热件的情况下,虽然 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:佐佐木康晴,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:
国别省市:
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