区域温度控制结构体制造技术

本发明专利技术提供一种区域温度控制结构体。该区域温度控制结构体为具有被控制为不同的温度的两个以上的区域的结构体，其抑制沿着各区域的排列方向的导热来保持温度差，并且对于来自与各区域的排列方向交叉的方向的输入热确保顺畅地传导热来抑制产生热点。该区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在上述两个区域彼此之间的各向异性导热材料层。该各向异性导热材料层沿着两个以上的区域的排列方向的热导率小于与两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种具有表面温度被控制为各自不同的温度的区域的区域温度控制结构体。
技术介绍
在对作为基板的半导体晶圆(以下，简称为“晶圆”。)实施等离子体处理的基板处理装置中，作为载置晶圆的载置台(基座)，公知有将载置面分割成多个环状温度区域来控制并利用各环状温度区域支承晶圆的基座。如利用各环状温度区域支承晶圆的基座那样，在表面被多个温度区域控制的区域温度控制结构体或者具有被调整为不同的温度的多个组合温度区域构件的组合结构体中，存在以下的问题在分别调节各区域的温度时，热在相邻的不同的环状温度区域的交界面或者连结面中发生移动，热效率降低。并且，存在不能确保区域彼此之间的温度差这样的另 一问题。因此，为了防止调节该区域温度控制结构体或者组合结构体的温度时的热效率的降低，并且确保区域彼此之间的温度差，开发出有在相邻的区域彼此之间配置绝热件或者利用热导率不同的原材料构成相邻的区域的技术(例如，參照专利文献I)。先行技术文献专利文献专利文献I :日本特开2004 — 292297号公报但是，在区域温度控制结构体中在被控制为不同的温度的区域彼此之间配置有绝热件的情况下，虽然能够防止热在隔着绝热件的区域彼此之间传导，但存以下的问题对于从与各区域的排列方向交叉的方向输入热，绝热件的正上部的温度变得高于周围的温度，形成温度的异常点(以下称作“热点(hot spot)”。)。热点不仅阻碍被调整、控制为规定的温度的该区域的温度均匀性，而且也成为使热效率降低的原因。
技术实现思路
_9] 专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供ー种区域温度控制结构体，其是具有被控制为不同的温度的两个以上的区域的结构体，能够抑制沿着各区域的排列方向的导热来保持温度差，并且对于来自与各区域的排列方向交叉的方向的输入热能够确保顺畅地导热来抑制产生热点。用于解决问题的方案为了达到上述目的，本专利技术的区域温度控制结构体的特征在于，该区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在上述两个以上的区域彼此之间的各向异性导热材料层，上述各向异性导热材料层沿着上述两个以上的区域的排列方向的热导率小于与上述两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率。采用本专利技术的技术方案，区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在该两个以上的区域彼此之间的各向异性导热材料层，各向异性导热材料层沿着该两个以上的区域的排列方向的热导率小干与该两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率，因此，能够抑制热沿着两个以上的区域的排列方向移动来保持温度差，并且对于来自与两个以上的区域的排列方向交叉的方向的输入热能够确保顺畅地传导热来抑制产生热点。在本专利技术的技术方案中，优选的是，在沿着上述两个以上的区域的排列方向的导热和与排列方向交叉的方向上的导热之间的相对关系中，上述各向异性导热材料层对于沿着上述两个以上的区域的排列方向的导热作为绝热层发挥作用，对于与上述两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的导热作为导热层发挥作用。在本专利技术的技术方案中，优选的是，上述各向异性导热材料层的与上述两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率与沿着上述两个以上的区域的排列方向的热导率之比是7以上。在本专利技术的技术方案中，优选的是，上述各向异性导热材料层由从钛ー碳、铝ー碳 纤维、钛一铝及玻碳一碳之中选择的复合材料构成。在本专利技术的技术方案中，优选的是，上述两个以上的区域由各向同性导热材料形成。在本专利技术的技术方案中，优选的是，上述区域温度控制结构体是上述两个以上的区域在规定方向上排列而成的板状体，上述各向异性导热材料层在上述板状体的厚度方向上贯穿上述板状体。在本专利技术的技术方案中，优选的是，在上述两个以上的区域中分别设有温度调整部件，上述各向异性导热材料层配置在相邻的温度调整部件彼此之间。在本专利技术的技术方案中，优选的是，上述温度调整部件是供换热介质流通的环状介质流路、帕尔贴元件或者电阻加热体。在本专利技术的技术方案中，优选的是，上述区域温度控制结构体是基板处理装置的载置台、上部电极板及沉积屏蔽件之中的任ー个。附图说明图I是表示将本专利技术的实施方式的区域温度控制结构体用作构成构件的基板处理装置的概略结构的剖视图。图2是表示本专利技术的实施方式的区域温度控制结构体的一例的概略结构的剖视图。图3A是表示配置在图2中的第I环状温度区域与第2环状温度区域之间的环状交界构件的截面切片的立体图。图3B是表示配置在图2中的第I环状温度区域与第2环状温度区域之间的环状交界构件的截面切片的立体图。图3C是表示配置在图2中的第I环状温度区域与第2环状温度区域之间的环状交界构件的截面切片的立体图。图3D是表示配置在图2中的第I环状温度区域与第2环状温度区域之间的环状交界构件的截面切片的立体图。图4是表示图3A 图3D所示的环状交界构件的水平半径方向上的导热特性的图。图5是表示图3A 图3D所示的环状交界构件的铅垂方向上的导热特性的图。图6是表示作为本专利技术的第I实施方式的区域温度控制结构体的基座的概略结构的剖视图。图7是表示图6的基座的变形例的剖视图。图8是表示作为本专利技术的第2实施方式的区域温度控制结构体的沉积屏蔽件的概略结构的剖视图。图9是表示作为本专利技术的第3实施方式的区域温度控制结构体的上部电极板的概略结构的剖视图。 具体实施例方式以下使用附图详细说明本专利技术的实施方式。图I是表示将本专利技术的实施方式的区域温度控制结构体用作构成构件的基板处理装置的概略结构的剖视图。在图I中，该基板处理装置用于对晶圆实施规定的等离子体蚀刻处理。基板处理装置10具有用于容纳晶圆W的腔室11，在腔室11内配置有用于载置晶圆W的圆板状的基座12。由腔室11的内侧壁和基座12的侧面形成了侧方排气通路13。在侧方排气通路13的中途配置有排气板14。排气板14是具有多个通孔的板状构件，作为将腔室11的内部分隔成上部和下部的分隔板发挥作用。在由排气板14分隔开的腔室11内部的上部(以下称作“处理室”。)15中如后述那样产生等离子体。另外，在腔室11的内部的下部(以下称作“排气室(歧管)”。)16上连接有用于排出腔室11内的气体的排气管17。排气板14捕捉或者反射在处理室15内产生的等离子体，防止等离子体向歧管16泄漏。在排气管17 上连接有 TMP(Turbo Molecular Pump :润轮分子泵)及 DP(Dry Pump 干式泵)(都省略图示)，上述的泵对腔室11内进行抽真空而减压至规定压力。另外，腔室11内的压カ由APC阀(省略图示)控制。在腔室11内的基座12上经由第I整合器19连接有第I高频电源18，并且经由第2整合器21连接有第2高频电源20，第I高频电源18用于对基座12施加较低的频率、例如2MHz的偏压用的高频电力，第2高频电源20用于对基座12施加较高的高频、例如60MHz的等离子体生成用的高频电力。由此，基座12作为电极发挥作用。另外，第I整合器19及第2整合器21减少来自基座12的高频电カ的反射来使向基座12施加高频电カ的施加效率最大。在基座12的上部配置有静电吸盘23，该静电吸盘23在其内部具有静电电极板22。静电吸盘23具有台阶，由陶瓷等构成。在静电电极板22上连接有直流电源24，若向静电电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木康晴，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：