温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种用于将含金属覆盖层集成到半导体器件的铜(Cu)金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包括：提供包含金属表面和介电层表面且其上具有残余物的平坦化的图案化衬底；从所述平坦化的图案化衬底上除去残余物；通过将所述介电层表面和所述金属...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。