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在基板（1）上层叠形成有第一GaN层（2）、第一AlGaN层（3）、第二GaN层（4）、及第三GaN层（5），在形成于该层叠体的开口（10A）的侧面形成有第二AlGaN层（6）。以填埋绝缘膜（7）的电极沟（7a）的方式形成有栅极（8），在栅...
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