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本发明中设有与化合物半导体层（102）绝缘且与电极（101）和化合物半导体层（103）相接的电极（109）。化合物半导体层（103）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（104）的晶格常数，化合物半导体层（107）的晶格常...
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