场效应晶体管制造技术

一种场效应晶体管，通过开口部（121.1）的形成，在第一半导体层（110）的上表面中的、上方未形成第二半导体层（120）的部分的至少一部分形成绝缘体（130.1）。在开口部（121.1），以覆盖绝缘体（130.1）的方式形成源极电极（S10）。源极电极（S10）形成为，与第一半导体层（110）和上述第二半导体层（120）之间的界面相接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及能够适用于在民用设备的电源电路中使用的功率晶体管的场效应晶体管。
技术介绍
氮化物半导体与硅(Si)或GaAs等相比，禁带宽度、绝缘击穿电场、电子的饱和漂移速度都大。并且，在以(0001)面为主面的衬底上形成的由AlGaN / GaN形成的异质结构的晶体管中，通过自发极化以及压电极化在异质界面处产生二维电子气(以下也称为2DEG)。因此，该异质结构的晶体管中，即使什么都不掺杂也能得到IX IO13CnT2程度以上的层载流子一卜々^ ') 浓度的2DEG。将该高浓度的2DEG作为载流子使用的高电子迁移率晶体管(HEMT (High Electron Mobility Transistor))近年来受到注目，提出了各种HEMT结构(异质结)的场效应晶体管。图6是表示专利文献I所示的以往的场效应晶体管500的剖面结构的图。以下， 还将场效应晶体管仅称为FET (Field Effect Transistor)。并且，以下，还将FET仅称为器件。如图6所示，在场效应晶体管500中，在衬底501上层叠有由第一氮化物半导体 (GaN)形成的第一半导体层510 (动作层)和由第二氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.14 JP 2010-1601131.一种场效应晶体管，其特征在于，具备衬底；第一半导体层，由第一氮化物半导体形成；以及第二半导体层，由禁带宽度比上述第一氮化物半导体的禁带宽度大的第二氮化物半导体形成，上述第一半导体层形成在上述衬底的上方，上述第二半导体层形成在上述第一半导体层上，在上述第二半导体层，形成贯通该第二半导体层而到达上述第一半导体层的开口部， 通过上述开口部的形成，在上述第一半导体层的上表面中的、上方未形成上述第二半导体层的部分的至少一部分，形成绝缘体，在上述开口部，以覆盖上述绝缘体的方式形成电极，上述电极形成为，与上述第一半导体层和上述第二半导体层之间的界面相接。2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，在与上述第一半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中健一郎，上田哲三，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：