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一种场效应晶体管，通过开口部（121.1）的形成，在第一半导体层（110）的上表面中的、上方未形成第二半导体层（120）的部分的至少一部分形成绝缘体（130.1）。在开口部（121.1），以覆盖绝缘体（130.1）的方式形成源极电极（S10...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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