【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种绝缘双极型晶体管制造方法。
技术介绍
IGBT (绝缘栅型 双极型晶体管)是继晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管、巨型晶体管等功率器件之后，半导体功率器件领域中又出现的一新成员。这类新型的功率器件具电压控制、输入阻抗高、门极驱动功率小、电流处理能力强、高频工作特性好，并在短时间内可以承受一定的短路电流的特征。随着这类器件的断态电压耐量和通态电流容量的不断增大，必将逐步成为功率器件应用领域的主宰力量。然而，在实际应用中，由于续流等问题的存在，通常在IGBT的集电极和发射极之间反向并联ー个快恢复ニ极管使用。目前，许多厂家采用在IGBT芯片的第二表面集电极处制造集电极短路点的方式来达到同样的目的，既避免了外接ニ极管带来的麻烦，又降低了成本。普通IGBT芯片包含有第一表面的MOS结构和第二表面的集电极结构，第一表面的MOS结构提供了 IGBT的栅极和源扱，而芯片的整个第二表面全都是高浓度P型注入的集电扱。具有集电极短路点的IGBT通常是在第二表面部分注入磷形成规则分布的N+型集电极短路点。然而这种结构存在有不足之处在IGBT导通吋，P...
【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管集电极由外向内依次设有金属层（10）、P+层（08）、N+层（06），其特征在于：所述N+（06）层朝向集电极的表面设有多个倒置平顶锥形凹槽，所述倒置平顶锥形凹槽内表面设P+层（08），所述金属层（10）覆盖于所述P+层（08）及所述N+层（06）上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈天，杨晓鸾，季顺黄，武洪建，
申请(专利权)人：无锡凤凰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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