半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及其制造方法。本发明专利技术提供一种其中在防止半导体基板断裂的同时可防止元件被快回现象毁坏的半导体器件。在MOS栅极结构在FZ晶片的正面形成之后，研磨FZ晶片的背面。然后，用质子照射并且用不同波长的两种类型的激光束同时照射经研磨的表面，从而形成N＋第一缓冲层2以及N第二缓冲层12。然后，P＋集电极层3以及集电电极9在经质子照射表面形成。从N＋第一缓冲层2的净掺杂浓度被局部最大化的位置到P＋集电极层3与N第二缓冲层12之间界面的距离被设置为在大于等于5μm且小于等于30μm的范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及诸如二极管或IGBT (绝缘栅双极晶体管)之类的除高速和低耗特性之外还具有软恢复特性的半导体器件，以及用于制造半导体器件的方法。
技术介绍
有600V、1200V或1700V耐压级的二极管或IGBT作为功率半导体器件。近来这些器件的特性已有了改进。功率半导体器件被用在诸如高效节能的变换器逆变器系统之类的功率变换系统，并且对于控制旋转马达和伺服马达是不可缺少的。这样的功率控制器需要低耗，节能，高速，高效以及环保、即对周围环境没有坏影响的特性。对于这些需求，有一种普遍知晓的方法，即通过在形成半导体基板的正面侧区域之后通过研磨等减薄常用的半导体基板(例如硅晶片)的背面，然后从研磨表面侧执行具有预定浓度的元素的离子注入以及热处理(例如参见专利文献I)。为了降低半导体器件的损耗，有必要改进截止损耗和导通损耗(导通电压)之间的权衡关系。具体地，在例如表面栅极结构形成为沟槽栅极结构时，权衡关系被改进。在少数载流子从P +集电极层到N—漂移层的注入被抑制从而降低N—漂移层的载流子浓度时，权衡关系被改进。此外，在K漂移层被减薄到耐压未被降低的程度时，权衡关系被改进。图19是示出具有根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：由第一导电型的半导体衬底构成的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，该第二半导体层的浓度比所述第一半导体层高并且在所述第一半导体层的第一主表面侧；所述第一或第二导电型的第三半导体层，该第三半导体层的浓度比所述第一半导体层高并且在所述第一半导体层的第二主表面侧；在所述第一半导体层中的至少一个所述第一导电型的第四半导体层，该第四半导体层的浓度比所述第一半导体层高但比所述第三半导体层低；其中，所述第四半导体层包括轻致供体，该氢致供体通过从所述第二主表面注入的质子照射形成，所述半导体装置所具有的所述第四半导体层中，通过使结晶性从导致载流子迁移率下降的质子照射损伤得以恢复，所述第...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：根本道生，中泽治雄，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：