具有场截止缓冲层的IGBT器件及制造方法技术

本发明专利技术提供一种场截止缓冲层，形成在IGBT器件中，包括：N型衬底；以及P型埋层，形成在N型衬底中。本发明专利技术还提供一种具有场截止缓冲层的IGBT器件，包括：场截止缓冲层，场截止缓冲层包括N型衬底和形成在N型衬底中的P型埋层；N-外延层，形成在N型衬底表面上；IGBT正面结构，形成在N-外延层表面上；阳极空穴发射区，形成在远离N-外延层的N型衬底的背面上；以及背面阳极集电极，形成在阳极空穴发射区上。本发明专利技术又提出一种具有场截止缓冲层的IGBT器件的制造方法，通过增加场截止缓冲层厚度以及调整P型埋层与N型衬底之间的浓度和厚度，以提高IGBT器件的电流密度，降低导通损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体器件
，尤其涉及一种具有场截止缓冲层的IGBT器件及制造方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种常用的通过电压控制的功率开关器件，具有输入电容大、输入阻抗高、驱动电流小、速度快、耐压高、热稳定性强、工作温度高、控制电路简单等特点，现阶段已经成为电力电子装置的主流器件。IGBT器件从20世纪80年代专利技术至今，经历了 PT (穿通)型，具有N+缓冲层的PT (穿通)型，以及NPT (非穿通)型等场截止(FS)型IGBT等一系列的演变，IGBT芯片的厚度也从初期的300um减小至现在的70um左右，芯片加工工艺，尤其薄片加工工艺要求越 来越高。IGBT器件作为现代电力电子装置的主流器件，在开关电源、整流器、逆变器、UPS (不断电系统)以及感应加热等领域有着广泛的应用。早期的IGBT器件在器件关断时存在拖尾电流引起的关断时间较长、工作频率无法进一步提升的问题。后续经不断的努力，发展出了最新的场截止(FS)型IGBT，以现有600V场截止型IGBT器件为例，其制造方法为提供一 N-外延层，在所述N-外延层的表面上形成IGBT正面结构，减薄所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场截止缓冲层，形成在IGBT器件中，包括：N型衬底；以及P型埋层，形成在所述N型衬底中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾悦吉，闻永祥，刘琛，刘慧勇，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：