【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，比如用于功率转换器件等的逆向阻断IGBT (绝缘栅极双极晶体管)，还涉及这种半导体器件的制造方法。
技术介绍
下面将描述用于制造逆向阻断IGBT的常规方法。第一现有技术是一种在形成用于构成逆向阻断IGBT的栅极/发射极结构之前预先涂敷掺杂剂源并从晶片(硅)上的切割 区域的表面执行热扩散的方法，正如图26所示那样，其中，形成了很深的P型隔离层，对晶 片进行薄化处理，使得在形成了栅极/发射极结构之后该P型隔离层露出来，并且，通过在经薄化处理的晶片的背面执行离子注入和退火，形成了将要与P型隔离层连接的P型集电极层(例如，参见下文列出的专利文献I)。根据第二现有技术，如图27所示，在IGBT前表面处理过程中形成了 MOS结构，研磨晶片的背面，并且MOS结构一侧是与玻璃基板结合起来的。然后，将正面和背面翻过来，在背面(现在该背面是在上面)之上形成掩模图案，并且，通过使用碱性溶液进行各向异性湿法蚀刻来形成V沟槽。在晶片的正面靠近切割区域处形成了 P型扩散层，以便形成栅极/发射极结构(M0S结构)。然后，除去上述掩模，并且在V沟槽的侧壁上以及晶片的背面同...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体基板；第二导电类型第一区域，形成于半导体基板的第一主平面的表面上的外围部分中；第二导电类型阱区域，被第一区域包围着并且形成于半导体基板的第一主平面的表层上以便与第一区域隔离开；第一导电类型发射极区域，形成于阱区域的表层上；栅极电极，经由栅极绝缘膜而形成于阱区域上，阱区域被夹在发射极区域和半导体基板之间；夹层绝缘膜，其表面包括栅极电极的表面且被涂敷；发射极电极，形成于夹层绝缘膜上以便接触发射极区域和阱区域；钝化膜，形成于发射极电极、第一区域和半导体基板上；集电极层，形成于半导体基板的第二主平面的表层上；第二导电类型隔离层，形成于接触第一...
【技术特征摘要】
2008.05.13 JP 2008-1254021.一种半导体器件，包括 第一导电类型半导体基板； 第二导电类型第一区域，形成于半导体基板的第一主平面的表面上的外围部分中；第二导电类型阱区域，被第一区域包围着并且形成于半导体基板的第一主平面的表层上以便与第一区域隔离开； 第一导电类型发射极区域，形成于阱区域的表层上； 栅极电极，经由栅极绝缘膜而形成于阱区域上，阱区域被夹在发射极区域和半导体基板之间； 夹层绝缘膜，其表面包括栅极电极的表面且被涂敷； 发射极电极，形成于夹层绝缘膜上以便接触发射极区域和阱区域； 钝化膜，形成于发射极电极、第一区域和半导体基板上； 集电极层，形成于半导体基板的第二主平面的表层上； 第二导电类型隔离层，形成于接触第一主平面和第二主平面的半导体基板的侧壁的表层上，以便接触第一区域和集电极层；以及集电极电极，形成于集电极层上，其中， 半导体基板的侧壁是由第一侧壁与第二侧壁构成的，第一侧壁垂直地接触第一主平面并且接触第一区域，第二侧壁被连接到第一侧壁和第二主平面并且与第一侧壁形成90度或更大的角度。2.如权利要求I所述的半导体器件，其特征在于， 所述第二侧壁是由第一第二侧壁与第二第二侧壁构成的，所述第一第二侧壁垂直地接触所述第一侧壁并接触第一区域，所述第二第二侧壁连接到所述第一第二侧壁和第二主平面并且和所述第一第二侧壁形成90度或更大的角度。3.如权利要求I或2所述的半导体器件，其特征在于， 第一侧壁的表面是通过切割刀片或通过激光而切割出的切割表面，并且 第二侧壁的表面是用切割刀片处理过的处理表面。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于， 用切割刀片对第二侧壁的表面执行切割工作，以形成V沟槽、倒梯形沟槽或U沟槽，并且 通过蚀刻除去因切割工作而形成的处理形变。5.如权利要求I或2所述的半导体器件，其特征在于， 集电极电极延伸到第一侧壁和第二侧壁上。6.如权利要求I或2所述的半导体器件，其特征在于， 接触第一主平面和第二侧壁的第一侧壁的连接线之间的距离是大于或等于10微米且小于或等于150微米。7.一种用于制造半导...
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