结终端延伸结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种结终端延伸结构，包括：第一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的连续结构，所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。通过场板结构屏蔽延伸区及其外侧界面电荷的影响，改善表面电场，保证器件的击穿电压并提高器件的可靠性，可应用于高压(4500V及其以上)IGBT器件的保护终端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造技术，更具体地说，涉及一种高压IGBT的。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是新型的大功率器件，它集MOSFET栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点。在变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能源、智能电网等诸多领域获得了广泛的应用空间。 而要确保IGBT高电压的一个重要前提条件是优良的终端保护结构，目前广泛用于高压(2500V及其以上)IGBT的终端保护结构主要是场限环(FLR)和结终端延伸结构(JTE)。如图I所示，场限环结构包括内圈的分压保护区101 (以包括pi环105和p2环106的结构为例)和外圈的截至环102。当偏压加在电极103上时，随着所加偏压的增大，耗尽层沿着主结区104向场限环的方向向外延伸，主结区104和pi环105距离的选取为主结在雪崩击穿之前，Pl环105穿通，这样就减小了主结附近的最大电场，偏压的继续增加由Pl环10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结终端延伸结构，其特征在于，包括：第一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的连续结构，所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田晓丽，朱阳军，吴振兴，卢烁今，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：