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本发明公开了一种结终端延伸结构，包括：第一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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