一种绝缘栅双极晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供一种绝缘栅双极晶体管，晶体管包括元胞区、终端区和划片槽；所述元胞区包括多晶硅栅电极、发射极、与所述发射极连接的N+发射区和P+发射区、N阱区、P阱区、N-衬底、透明集电极区和集电极。本实用新型专利技术多级场板中的氮氧化硅层有腐蚀阻挡层的作用，对工艺精度要求低；并且氮氧化硅层致密性好，提高晶体管的稳定性和可靠性。发射极采用挖槽式，并在挖槽后侧向腐蚀氧化层可以在降低欧姆接触电阻的同时增大金属接触面积，使散热更均匀，器件的高温特性更好。所述元胞采用Spacer结构，利用一套光刻版注入P和N型区，可以避免套刻误差，确保元胞沟道的一致性，改善动态特性；同时可以省一道光刻板，减少工艺步骤，节约成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于功率器件领域，具体涉及ー种绝缘栅双极晶体管。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)由单元胞并联而成，同时具有单极性器件和双极性器件的优点，驱动电路简单，控制电路功耗和成本低，通态压降低，器件自身损耗小，是未来高压大电流的发展方向。如图1，绝缘栅双极晶体管IGBT包括元胞区、終端区和划片槽。图2为现有技术中绝缘栅双极晶体管IGBT的剖面图。元胞区在N-衬底上通过离子注入扩散形成P阱区，N阱区，发射极和N发射区、P+发射区相连，发射极的形状及材料影响欧姆接触电阻大小和散热能力，设置不合理会影响器件的高温特性，常用的解决方法是寻找合适的金属材料，或 者提高半导体区的掺杂浓度，如现在通常会通过离子注入扩散形成高浓度的N+发射区，N+发射区还可以提高器件的电流导通能力，为了抑制绝缘栅双极型晶体管IGBT闩锁的发生，还会再注入高浓度的P+发射区，以降低P阱和N+发射区之间的压降，元胞区N-衬底通过背面注入形成一层很薄的透明集电极区BackP+，起到电导调制作用，使IGBT饱和电压呈正温度系数，更适合并联，透明集电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极晶体管，所述晶体管包括元胞区、终端区和划片槽；其特征在于：所述元胞区包括多晶硅栅电极、金属发射极、与所述发射极连接的N+发射区和P+发射区、N阱区、P阱区、N？衬底、透明集电极区和集电极；所述终端区包括多级场板、N？衬底、透明集电极区和集电极；所述透明集电极区位于所述N？衬底和集电极的中间，所述多级场板位于N？衬底的上部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高明超，于坤山，金锐，温家良，袁玉湘，刘江，刘钺杨，赵哿，韩荣刚，杨霏，张冲，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院，
类型：实用新型
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