【技术实现步骤摘要】
本技术涉及影像传感器
，尤其涉及一种背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器。
技术介绍
近年来，互补型金属氧化物半导体影像传感器发展迅速，并应用于大量方面。在传统的互补式金属氧化物半导体影像传感器中，感光二极管、金属连线、滤光片和微透镜位于晶片的同一侧，进光量会因金属遮挡受到影响，量子效率相对较低，所以迫切需要提高量子效率来满足更一步的要求。基于以上考虑，一种新型的互补式金属氧化物半导体影像传感器应运而生，被称之为背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器。背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器是将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把金属连线挪到了影像传感器芯片的“背面”，这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。所以背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器有着特殊的要求，需要用一载片与图形晶片键合后对图形晶片背面进行处理。由于键合的基本条件是至少有一片晶片表面需要有氧化物层。图I所示为现有技术中的背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器的截面...
【技术保护点】
一种背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器，包括：图形晶片，具有正面；位于所述图形晶片正面上的金属层间介质层，其内部形成有金属互连电路；位于所述金属层间介质层上方的绝缘介质层；位于绝缘介质层上的载片，所述载片通过所述金属互连电路与所述图形晶片键合；其特征在于，所述绝缘介质层的厚度为FDA00001792894900011.jpg
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：费孝爱，
申请(专利权)人：豪威科技上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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