半导体缺陷定位的方法技术

一种半导体缺陷定位的方法，包括：步骤S1：获得半导体缺陷的斑点图像；步骤S2：形成工作台视窗图像；步骤S3：获得边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像；步骤S4：将所述边缘反差化斑点图像和所述边缘反差化工作台视窗图像进行匹配，找出缺陷位置和周边结构样貌；步骤S5：将前层结构过滤，并将周边结构样貌之信息导入扫描电子显微镜；步骤S6：将拍摄的半导体缺陷图像和导入的周边结构样貌进行匹配，定义扫描缺陷位置；步骤S7：重复步骤S1～S6，定义最终扫描缺陷位置。本发明专利技术无需人工手动调整偏差，可准确、快捷的定位，且避免人工检测中因缺乏经验、缺陷不易被察觉、偏差值过大等因素造成的真实缺陷未能被目检的后果，提高产品良率和稳定性，降低人力成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种。
技术介绍
在半导体缺陷扫描后的扫描电子显微镜目检过程中，经常会出现半导体缺陷无法 找到的现象。其原因主要来自，第一、前层缺陷，扫描电子显微镜无法将其可视化；第二、扫 描机台程式不够优化，造成噪声过高；第三、扫描电子显微镜机台定位半导体缺陷的时候和 扫描机台存在一定的偏差，造成真实的半导体缺陷无法被目检。显然地，因前层缺陷和噪声过高因素导致的半导体缺陷无法被目检的缺陷可以通 过光学显微镜目检和扫描程式优化以解决。而因为扫描电子显微镜机台定位定位半导体缺 陷的时候与扫描机台存在一定偏差所导致的半导体缺陷无法被目检的缺陷，目前主要是依 靠人工检测，手动调整半导体缺陷位置的偏差。但是，本领域技术人员可以理解地，通过人工检测的手段，势必取决于人工的主观 经验，并且要求所述半导体缺陷在一定偏差范围内可见，显然并非一种完美的手段。如何能 客观的精确定位半导体缺陷已成为本行业亟待解决的问题。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究 改良，于是有了本专利技术一种。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中，传统的半导体缺陷定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体缺陷定位的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：由扫描机台获得半导体缺陷的斑点图像，所述半导体缺陷的斑点图像具有所述半导体之前层结构的图像信息；执行步骤S2：将所述半导体缺陷的斑点图像导入所述工作台视窗系统，并由所述工作台视窗系统呈现出邻近结构性光罩的叠加图，以形成所述工作台视窗图像；执行步骤S3：通过图像边缘反差化工艺对所述半导体缺陷的斑点图像和所述工作台视窗图像进行处理，以获得边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像；执行步骤S4：将所述边缘反差化斑点图像和所述边缘反差化工作台视窗图像进行匹配，找出缺陷位置和缺陷位置所在膜层的周边结构样貌；执行步骤S5：通过所述工作台...

【技术特征摘要】
1.一种半导体缺陷定位的方法，其特征在于，所述方法包括 执行步骤S1:由扫描机台获得半导体缺陷的斑点图像，所述半导体缺陷的斑点图像具有所述半导体之前层结构的图像信息； 执行步骤S2 :将所述半导体缺陷的斑点图像导入所述工作台视窗系统，并由所述工作台视窗系统呈现出邻近结构性光罩的叠加图，以形成所述工作台视窗图像； 执行步骤S3 :通过图像边缘反差化工艺对所述半导体缺陷的斑点图像和所述工作台视窗图像进行处理，以获得边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像； 执行步骤S4 :将所述边缘反差化斑点图像和所述边缘反差化工作台视窗图像进行匹配，找出缺陷位置和缺陷位置所在膜层的周边结构样貌； 执行步骤S5 :通过所述工作台视窗系统将所述前层结构过滤，所述边缘反差化斑点图像仅保留半导体缺陷位置所在膜层的结构，并将所述缺陷位置所在膜层的周边结构样貌之信息导入扫描电子显微镜； 执行步骤S6 :扫描电子显微镜将其拍摄的半导体缺陷图像和通过所述导入的周边结构样貌之信息进行匹配，获得匹配系数最高的条件点，并将所述条件点所对应的位置定义为扫描缺陷位置； 执行步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭贤权，许向辉，顾珍，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：