阻断半导体差排缺陷的方法技术

本发明专利技术提出一种阻断半导体差排缺陷的方法。首先，外延一半导体层于一衬底上，并在半导体层上差排缺陷所造成的结构脆弱处蚀刻出凹洞。之后，在每一个凹洞上形成一阻断层。随后，再外延上述的半导体层，使半导体层侧向成长，导致差排缺陷转向。本发明专利技术可以在外延过程中降低差排缺陷密度以改善外延层的光学特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
目前常见的固态半导体装置，大致上有发光二极管(Light Emitting Diode， LED)、激光二极管(Laser Diode)或半导体射频等装置。一般而言，前述的发光二极管、激光 二极管或半导体射频装置，是由一外延衬底与一形成于外延衬底上的半导体元件(例如 射频元件，或是含有Pi接合的发光元件)所构成。 举例来说，基本的蓝光或绿光发光二极管结构，是由一蓝宝石(sapphire)衬底、 一形成于蓝宝石衬底上的缓冲层(buffer layer)、一形成于缓冲层上的N型氮化镓(GaN) 半导体层、一局部覆盖N型氮化镓半导体层的发光层(active layer)、一形成于发光层上 的P型氮化镓半导体层、与两个分别形成于上述半导体层上的接触电极所构成。 影响发光二极管的发光效率的因素分别有内部量子效率(internalquantum efficiency)及外部(external)量子效率，其中构成低内部量子效率的主要原因，则是形 成于发光层中的差排(dislocation)量。然而，蓝宝石衬底与氮化镓两者材料间存在相当 大的晶格不匹配(latti本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻断半导体差排缺陷的方法，至少执行一次下列步骤：形成多个凹洞于一半导体层上的差排缺陷处；在每一个凹洞上形成一阻断层；以及再外延该半导体层，使该半导体层侧向成长，导致差排缺陷转向。

【技术特征摘要】
一种阻断半导体差排缺陷的方法，至少执行一次下列步骤形成多个凹洞于一半导体层上的差排缺陷处；在每一个凹洞上形成一阻断层；以及再外延该半导体层，使该半导体层侧向成长，导致差排缺陷转向。2. 根据权利要求1的阻断半导体差排缺陷的方法，借由蚀刻该半导体层以形成多个凹 洞于该半导体层上的差排缺陷处，且其中在每一个凹洞上形成一阻断层包含下列步骤沉积一阻断层于该半导体层上；涂布光致抗蚀剂于该阻断层上，以形成填满所述多个凹洞的光致抗蚀剂； 移除所述多个凹洞以外的光致抗蚀剂；蚀刻该半导体层，以移除所述多个凹洞以外的该阻断层，借此形成多个分布于凹洞的 阻断层；移除所述多个阻断层上的光致抗蚀剂，前述的阻断层为介电质，可包含氮化镁、氮化 硅、氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钽、一氮化硅或一氧化硅等其中之一 ；以及 移除光致抗蚀剂。3. 根据权利要求l的阻断半导体差排缺陷的方法，在形成多个凹洞于一半导体层上的 差排缺陷处之前，还包含下列步骤提供一衬底；以及形成该半导体层于该衬底上，并形成一缓冲层于该衬底与该半导体层之间，前述的衬 底可为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、铝酸锂衬底、镓酸锂衬底、硅衬底、氮化镓衬底，氧化锌衬底、氧化铝锌衬底、砷化镓衬底、磷化镓衬底、锑化镓衬底、磷化铟衬底、砷化铟衬底或硒化锌衬底等其中之一。4. 根据权利要求1的阻断半导体差排缺陷的方法，其中上述的半导体层为III族氮化物。5. —种阻断发光二极管内部差排缺陷的方法，包含下列步骤 执行权利要求1的方法；以及外延一化合物半导体复合层于该半导体层上，以形成一发光二极管。6. —种阻断发光二极管内部差排缺陷的方法，包含下列步骤 外延一半导体层于一衬底上；蚀刻该半导体层以形成多个凹洞于该半导体层上的差排...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴芃逸，黄世晟，涂博闵，叶颖超，林文禹，詹世雄，
申请(专利权)人：先进开发光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]