【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体层中的缺陷消除方法。
技术介绍
Smart Cut 方法广泛应用在用于制造半导体结构的方法中，用于将层从被称作施主的衬底转移到被称作受主的衬底。 一般而言，该方法包括用于将离子物种注入到施主衬底的步骤。施主衬底中的注入量变曲线是高斯(Gaussian)型，在对应于具有最大注入物种的位于特定深度的平面中具有峰值，这形成施主衬底中的脆化区域。将被转移层限制在施主衬底的表面和脆化区域之间，其中，穿过施主衬底的表面来执行注入。随后，Smart Cut 方法包括用于将施主衬底与受主衬底组合的步骤，使得被转移层与受主衬底接触。然后，应用机械力、热力或其他力，使得施主衬底沿着脆化区域破裂。可再利用的施主衬底的剩余物和最终的半导体结构被分开，其中，最终的半导体结构包括受主衬底和被转移层。然而，转移之后，与为形成脆化区域而在施主衬底中执行的注入和破裂有关的缺陷存在于被转移层中。这些缺陷一般包括被转移层的晶格中的缺陷，和被注入物种的残渣，等等。这些缺陷能改变形成在被转移层之中或之上的电子器件的操作。为了消除这些缺陷，将已知的解决办法应用到半导体结构而形成高温热处理。在这...
【技术保护点】
一种消除与将原子物种注入到被转移到受主衬底（2）上的半导体层（10）中相关的缺陷的方法，其中，所述半导体层（10）通过热传导率低于被转移半导体层（10）的热传导率的层（3，3’）而与所述受主衬底（2）绝热，其特征在于，所述方法包括：将选择的电磁辐射应用到所述半导体层（10），以便将所述半导体层（10）加热到低于所述层（10）的熔化温度的温度，而不导致所述受主衬底（2）的温度增加超过500℃。
【技术特征摘要】
2011.07.28 FR 11/569061.一种消除与将原子物种注入到被转移到受主衬底(2)上的半导体层(10)中相关的缺陷的方法，其中，所述半导体层(10)通过热传导率低于被转移半导体层(10)的热传导率的层(3，3’)而与所述受主衬底(2)绝热，其特征在于，所述方法包括将选择的电磁辐射应用到所述半导体层(10)，以便将所述半导体层(10)加热到低于所述层(10)的熔化温度的温度，而不导致所述受主衬底(2)的温度增加超过500°C。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，选择所述选择的电磁辐射的波长，以便仅被转移半导体层(10)吸收所述辐射。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电磁辐射是脉冲激光辐射，选择所述脉冲的能量密度和持续时间，以便将所述半导体层(10)加热到低于所述层(10)的熔化温度的温度，而不导致所述受主衬底(2)的温度增加超过500°C。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，被转移半导体层(10)由硅制成，并且所述辐射的波长短于360nm。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，脉冲的能量和持续时间选择为将所述被转移层(10)升高到处于800°C和13000C之间的范围内的温度。6.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其特征在于，所述受主衬底(2)包括至少一个电子器件和/或一个功能性区域和/或一个金属化区域。7.根据权利要求1-6中任意一项所述的方法，其特征在于，被转移层(10)是包括电功能部分的娃层。8.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法,其特征在于,热传导率低于被转移半导体层(10)的热传导率的所述层(3，3’)的厚度处于IOnm和IOOOOnm之间的范围内。9.一种制造包括受主衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：I·拉杜，C·古德尔，C·维特左乌，
申请(专利权)人：SOITEC公司，
类型：发明
国别省市：
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