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本发明涉及一种半导体层中的缺陷消除方法，一种消除与将原子物种注入到被转移到受主衬底（2）上的半导体层（10）中相关的缺陷的方法，其中，半导体层（10）通过热传导率低于被转移半导体层（10）的热传导率的层（3，3’）而与受主衬底（2）绝热，所...
该专利属于SOITEC公司所有，仅供学习研究参考，未经过SOITEC公司授权不得商用。

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