本发明涉及支撑装置布置件，其用于压电衬底(120)的注入过程，所述支撑装置布置件包括具有用于接收压电衬底(120)的弹性导热层(150)的衬底支撑装置(110)，其特征在于，进一步包括用于将弹性导热层(150)的用于接收压电衬底的表面电...

本发明涉及一种用于制备供体衬底的残余物(1

本发明涉及一种临时衬底，其在高于1000℃的分离温度下可分离，并包括：

一种用于制造压电结构(10，10')的方法，所述方法的特征在于其包括提供压电材料的衬底(20)、提供载体衬底(100)、在低于或等于300℃的温度下将介电结合层(1001)沉积在压电材料的衬底(20)的单侧上，通过介电结合层(1001)...

本发明涉及一种用于制造包括布置在由碳化硅制成的载体衬底上的由单晶碳化硅制成的薄层的复合结构的方法，所述方法包括：提供由单晶SiC制成的供体衬底的步骤a)，所述供体衬底包括通过在初始衬底上进行外延生长而产生的供体层，所述供体层展现出低于初...

本发明涉及一种用于制造图像传感器的方法，其包括：

本发明涉及一种用于生产包含位于碳化硅的载体衬底(20)上的单晶碳化硅的薄层(10)的复合结构(1)的方法。所述方法包括：a)提供单晶碳化硅的初始衬底(11)的步骤，b)在初始衬底(11)上外延生长单晶碳化硅的供体层(110)以形成供体衬...

本发明涉及多层绝缘体上半导体结构(1)，所述多层绝缘体上半导体结构(1)从结构的背面到正面连续地包括：具有高电阻率的半导体载体衬底(2)、第一电绝缘层(3)、中间层(I)、第二电绝缘层(5)、活性半导体层(6)，所述半导体载体衬底(2)...

本发明涉及绝缘体上半导体多层结构(1)，其包括：

本发明涉及一种制造用于正面图像传感器的衬底的方法，所述方法包括：‑提供包括待转移的半导体层(3a)的供体衬底(30)，‑提供半导体载体衬底(1)，‑使供体衬底(30)与载体衬底(1)结合，电绝缘层(2)位于结合界面处，‑将半导体层(3a...

本发明涉及一种用于制造生长衬底的方法，其包括：通过在支撑体(2b)的籽晶层(2a)上形成表面的半导电晶体层(1)来制备供体衬底(2)。该制备包括将表面层(1)形成为InGaN初级层(1a)和AlGaN次级层(1b)的多个交替，选择初级层...

本发明涉及一种用于共同制造多个半导体结构(8)的方法。所述方法包括：提供由具有主表面的载体(2)、布置于载体(2)的主表面上的介电层(3)和布置于介电层(3)上的多个晶体半导体生长岛(4)形成的衬底。所述方法还包括：在生长岛上形成至少一...

本发明涉及一种通过光束分离可移除复合结构的方法，所述方法包括：供应可移除复合结构(100)，其依次包括：衬底(1)；光吸收层(2)，其由适于至少部分地吸收光束的材料制成，所述衬底对所述光束基本上透明；牺牲层(3)，其适于在施加高于解离温...

本发明涉及一种将压电层(3)转移至载体衬底(6)上的工艺，所述工艺包括：‑提供包括异质结构(4)的供体衬底(40)，所述异质结构(4)包括结合至操作衬底(2)的压电衬底(3)，和位于压电衬底(3)和操作衬底(2)之间界面处的经聚合的粘合...

本发明涉及一种制造用于射频器件的衬底(7)的工艺，其通过借助于电绝缘层将压电层(3)组装在载体衬底(1)上来制造用于射频器件的衬底(7)，所述压电层(3)在与电绝缘层的界面处具有粗糙的表面(30)，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：‑提...

本发明涉及一种制造用于射频滤波器的衬底的工艺，其通过经由电绝缘层将压电层组装在载体衬底上来制造用于射频滤波器的衬底，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：通过在压电层的待组装至载体衬底的表面上旋涂属于旋涂玻璃(SOG)族的氧化物来沉积电绝缘...

本发明涉及一种用于生产供体衬底(20)的方法，所述供体衬底(20)用于制造三维集成结构(40)，所述方法包括以下步骤：‑提供半导体衬底(10)，所述半导体衬底(10)包括称为有源层的表面层(14)和包括多个空腔(12)的层(11)，所述...

本发明涉及一种用于生产薄层(3)的方法，所述薄层(3)由基于碱的铁电材料组成，具有确定的居里温度，通过包括将轻物种植入供体衬底中以产生脆化平面的转移技术将所述薄层(3)从供体衬底转移至支持衬底，所述薄层(3)具有第一自由面和布置在支持衬...

本发明涉及具有减少的凹坑缺陷的III‑V半导体结构及其形成方法。在一些实施方案中，所述方法可用于制造III‑V材料的半导体结构，如InGaN。通过调节诸如生长表面的温度的生长条件以产生过饱和区域，从而生长铟浓度在饱和区域以上的In‑II...

本申请涉及一种包括高电阻基板的半导体元件的制造方法。制造半导体元件的方法包括快速热处理步骤，快速热处理步骤将包括电阻率大于1000欧姆·厘米的基底的基板暴露于能够使基底的电阻率变差的峰值温度。根据本发明，在快速热处理的步骤之后进行矫正热...