包括高电阻基板的半导体元件的制造方法技术
Manufacturing method of semiconductor component including high resistance substrate
The application relates to a method for manufacturing a semiconductor component including a high resistance substrate. The method of making semiconductor components includes a fast heat treatment step, and the fast heat treatment step exposes a substrate including a substrate with a resistivity of more than 1000 ohm cm to the peak temperature that can make the resistivity of the substrate worse. According to the invention, the correction heat treatment is carried out after the steps of fast heat treatment, the corrected heat treatment exposes the substrate to the correction temperature between 800 and 1250 C, and has the following cooling rate: when the correction temperature is between 1250 and 1150 C, less than 5 degrees C / sec, when the correction temperature is between 1150 and 1100 C. It is less than 20 C / sec, and when the correction temperature is between 1100 and 800 C, it is less than 50 C / s.
【技术实现步骤摘要】
包括高电阻基板的半导体元件的制造方法
本专利技术涉及一种制造包括高电阻基板的半导体元件的方法。
技术介绍
集成器件通常制造在晶片形式的基板上，所述基板主要用作集成器件制造的基底。然而，这些器件的集成度和预期性能的增长导致在器件的性能与器件形成所在的基板的特性之间的联系日益增加。对于射频(RF)器件而言尤其如此，射频器件处理频率在大约3kHz到300GHz之间的信号，并且特别应用于电信领域(电话、Wi-Fi、蓝牙等)中。作为器件/基板联系的示例，由器件中传播的高频信号所产生的电磁场穿透到基板的深度中，并与基板的深度中可能存在的任何电荷载流子相互作用。结果是，由于插入损耗而引起的信号的一部分能量的无用消耗，以及由于“串扰”而引起的元件之间的可能的影响。诸如天线开关和调谐器的射频器件以及功率放大器可以在专门适用于允许这些现象并提高其性能的基板上制造。“高电阻绝缘体上硅”(HRSOI)基板也是已知的，如图1a所示，其包括电阻率大于1千欧姆·厘米的硅的基底2、基底2上的绝缘体层4、以及设置在绝缘体层上的硅的表面层5。如图1b所示，基板1同样可以包括设置在基底2和绝缘体层4之...
【技术保护点】
半导体元件的制造方法，该方法包括快速热处理的步骤，所述快速热处理的步骤将包括电阻率大于1000欧姆·厘米的基底(2)的基板(1)暴露至峰值温度，所述峰值温度能够使基底(2)的电阻率变差，所述方法的特征在于，在快速热处理的步骤之后进行矫正热处理，所述矫正热处理将基板暴露至在800℃和1250℃之间的矫正温度，并具有下述冷却速率：‑当矫正温度在1250℃和1150℃之间时，冷却速率小于5℃/秒，‑当矫正温度在1150℃和1100℃之间时，冷却速率小于20℃/秒，以及‑当矫正温度在1100℃和800℃之间时，冷却速率小于50℃/秒。
【技术特征摘要】
2016.11.04 FR 16606821.半导体元件的制造方法，该方法包括快速热处理的步骤，所述快速热处理的步骤将包括电阻率大于1000欧姆·厘米的基底(2)的基板(1)暴露至峰值温度，所述峰值温度能够使基底(2)的电阻率变差，所述方法的特征在于，在快速热处理的步骤之后进行矫正热处理，所述矫正热处理将基板暴露至在800℃和1250℃之间的矫正温度，并具有下述冷却速率：-当矫正温度在1250℃和1150℃之间时，冷却速率小于5℃/秒，-当矫正温度在1150℃和1100℃之间时，冷却速率小于20℃/秒，以及-当矫正温度在1100℃和800℃之间时，冷却速率小于50℃/秒。2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，峰值温度在1050℃和1250℃之间。3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，所述快速热处理和所述矫正热处理在快速热退火布局中原位实现。4.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述矫正热处理在与用于应用快速热处理的布局不同的布局中实现。5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中，所述矫正热处理在立式炉中实现。6.根据权利要求4或5所述的半导体元件的制造方法，其中，所述矫正温度保持为低于1050℃至少20秒。7.根据权利要求6...
【专利技术属性】
技术研发人员：O·科农丘克，I·贝特朗，L·卡佩洛，M·波卡特，
申请(专利权)人：SOITEC公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR
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