一种半导体晶圆的温度控制方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆的温度控制方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却其特征在于，包括以下步骤：(1)在半导体晶圆降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入晶圆承载区域的冷却用的气体流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；(2)维持上述步骤中通入的吹送冷却用的气体流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行冷却5‑10min；(3)在步骤(2)的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆的温度控制方法
本专利技术涉及半导体晶圆
，具体涉及一种半导体晶圆的温度控制方法。
技术介绍
随着半导体集成电路制造工艺的发展，特征尺寸不断缩小，使芯片的集成度越来越高，对集成电路制造及工艺设备提出了更高的要求，最新的工艺发展越来越受到工艺设备的制约。以立式炉设备来讲，为了保证上述工艺、材料性能的实现，热处理工艺对立式炉设备的指标，如颗粒控制、氧含量控制、升降温速率、稳定性等，提出了更高的要求。另外，在满足工艺性能的前提下，在工业中还需考虑产能的问题，需要高效地完成工艺处理，即增加晶圆产能(WaferPercentHour,WPH)。现有的晶圆冷却方法，一般是在工艺降舟阶段，按照对晶圆承载区域中的氧含量要求较高的LPCVD和低温退火工艺条件，来设定通入氮气的流量。具体是将通入晶圆承载区域中的氮气流量设定为最大，并将冷却风机的风速调到较高水平，在保证氧含量达标的前提下，对晶圆进行持续冷却，直至经检测装置检测，晶圆的冷却状态达到机械手的传输条件。这样的冷却方法，对所需的冷却时间，缺乏定量的考量。
技术实现思路
本专利技术旨在提供了一种半导体晶圆的温度控制方法。本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶圆的温度控制方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却其特征在于，其特征在于，包括以下步骤：(1)在半导体晶圆降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入晶圆承载区域的冷却用的气体流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；(2)维持上述步骤中通入的吹送冷却用的气体流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行冷却5‑10min；(3)在步骤(2)的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的温度控制方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却其特征在于，其特征在于，包括以下步骤：(1)在半导体晶圆降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入晶圆承载区域的冷却用的气体流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；(2)维持上述步骤中通入的吹送冷却用的气体流量和风机风速，...

【专利技术属性】
技术研发人员：江富杰，张飞凡，
申请(专利权)人：合肥新汇成微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34