半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了半导体器件及其制备方法。所述方法包括提供半导体衬底，通过形成有开口的硬掩膜层在所述半导体衬底上形成沟槽，所述沟槽的宽度与所述开口的宽度一致，所述开口与所述沟槽上下呈1字形；横向刻蚀所述硬掩膜层，以扩大所述开口的横向尺寸，所述开口与所述沟槽上下呈T字形；在所述沟槽和所述开口内形成栅极氧化层和栅极多晶硅；对所述栅极多晶硅进行回刻，使所述栅极多晶硅呈T字形；在所述半导体衬底上形成介质层，刻蚀所述介质层，使所述半导体衬底上多余的栅极氧化层和硬掩膜层一并去除。所述方法可以保证所述栅极氧化层具有原始的厚度，提高了所述半导体器件的性能和良率，而且还不会导致工艺成本的提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及半导体器件及其制备方法。
技术介绍
沟槽型金属氧化物半导体势垒肖特基二极管(TrenchMosBarrierSchottky，TMBS)，这种半导体器件常用于制作整流器以用于高频逆变器、开关电源、高频DC-DC转换器等。其中TMBS的栅极结构的制作一般是先通过硬掩膜层在半导体衬底上形成沟槽，然后将硬掩膜层去除，接着在沟槽内形成栅极氧化层和栅极多晶硅，然后栅极多晶硅回刻，接着在半导体衬底上形成介质层，最后进行介质层刻蚀，此时半导体衬底上多余的栅极氧化层也会一并被刻蚀。但此方法形成的栅极结构中，栅极多晶硅大致为柱状体而位于沟槽内，而沟槽内栅极多晶硅两侧栅极氧化层的最上端也会被刻蚀掉一部分，如此导致沟槽最上端边缘处的栅极氧化层的厚度很薄(以100V工艺为例，一般需要栅极氧化层厚度大于4000A，但实际上此处栅极氧化层的厚度远不及于此，请参见图7所示)，如此此处会产生漏电流，从而导致器件整体的漏电流偏大，进而影响器件的性能和良率。因此，需要对目前所述制备方法进行改进，以便消除上述存在的多种问题。专利技术内容在
技术实现思路
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【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，通过形成有开口的硬掩膜层在所述半导体衬底上形成沟槽，所述沟槽的宽度与所述开口的宽度一致，所述开口与所述沟槽上下呈1字形；横向刻蚀所述硬掩膜层，以扩大所述开口的横向尺寸，所述开口与所述沟槽上下呈T字形；在所述沟槽和所述开口内形成栅极氧化层和栅极多晶硅；对所述栅极多晶硅进行回刻，使所述栅极多晶硅呈T字形；在所述半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层，使所述半导体衬底上多余的栅极氧化层和硬掩膜层一并去除。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，通过形成有开口的硬掩膜层在所述半导体衬底上形成沟槽，所述沟槽的宽度与所述开口的宽度一致，所述开口与所述沟槽上下呈1字形；横向刻蚀所述硬掩膜层，以扩大所述开口的横向尺寸，所述开口与所述沟槽上下呈T字形；在所述沟槽和所述开口内形成栅极氧化层和栅极多晶硅；对所述栅极多晶硅进行回刻，使所述栅极多晶硅呈T字形；在所述半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层，使所述半导体衬底上多余的栅极氧化层和硬掩膜层一并去除。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为二氧化硅。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述横向刻蚀所述硬掩膜层的步骤使用湿法刻蚀。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓日，冒义祥，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32